[发明专利]一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，该薄膜由衬底、底部金属氧化物薄膜层、中间金属层和顶部金属氧化物薄膜层组成，其中，衬底为玻璃，底部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的Nb₂O₅层，中间金属层为采用直流磁控溅射方法沉积的Ag层，顶部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的ZnO层。

2.如权利要求1所述的一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述底部金属氧化物薄膜层和顶部金属氧化物薄膜层的厚度均为35～55nm，中间金属层的厚度为8～20nm。

3.如权利要求1和2中任一项所述的一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，具体的制备步骤为：

1)衬底的处理；将玻璃衬底依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中分别超声清洗15～20min，清洗完毕后用高纯氮气吹干后放入溅射腔室中；

2)靶材的预溅射：将纯度为99.9％的Nb₂O₅靶和ZnO靶在溅射腔室内利用射频磁控溅射的方法分别预溅射10～15min，将纯度为99.9％的Ag靶在在溅射腔室内利用直流磁控溅射的方法预溅射10～15min，溅射腔室本底真空度抽至6×10^-4Pa，溅射过程中充入纯度为99.99％的氩气作为溅射气体；

3)Nb₂O₅层的溅射：在衬底上利用射频磁控溅射的方法制备Nb₂O₅层，溅射过程中充入纯度为99.99％的氩气作为溅射气体，室温下的工作压强为1.0pa；

4)Ag层的溅射：在Nb₂O₅层上利用直流磁控溅射的方法制备Ag层，溅射过程中充入纯度为99.99％的氩气作为溅射气体；

5)ZnO层的溅射：在Ag层上利用射频磁控溅射的方法制备ZnO层，溅射过程中充入纯度为99.99％的氩气作为溅射气体。

4.如权利要求3所述的一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)的射频功率为100W。

5.如权利要求3所述的一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4)的射频功率为20W。

6.如权利要求3所述的一种基于Nb₂O₅的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5)的射频功率为100W。