[发明专利]一种磁体、充磁方法及硬盘马达

说明书

本发明提供了一种磁体，所述的磁体包括：磁体N和磁体S，磁体N和磁体S之间设有气隙，所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构，磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁，磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称；磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁，磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称；磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向，沿气隙镜像对称。盖茨提既满足硬盘驱动器磁体的设计要求，又大大降低了材料成本。本发明还提供了该磁体的充磁方法，以及安装有该磁体的硬盘马达。

技术领域

本发明涉及硬盘存储设计领域，更具体地说，涉及一种磁体、充磁方法及硬盘马达。

背景技术

目前，全球已进入信息化时代，随着磁存储技术和硬盘驱动技术的日臻完善和发展，以及计算机产业和消费类电子产品的需求不断增加，全球硬盘需求量也将持续增加。

现阶段，硬盘马达的磁体材料为粘结钕铁硼，该材料加工制造工艺复杂，易氧化，价格昂贵。

发明内容

针对以上缺点，本发明提出了一种磁体、充磁方法及硬盘马达，既满足硬盘驱动器磁体的设计要求，又大大降低了材料成本。

本发明实施例提供了一种磁体，所述的磁体包括：磁体N和磁体S，磁体 N和磁体S之间设有气隙，所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构，磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁，磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称；磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁，磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称；磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向，沿气隙镜像对称。

进一步的，构成磁体N和磁体S的磁体均为铁氧体。

进一步的，磁体N中间段的充磁方向指向气隙，且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。

进一步的，磁体N中左、右段磁体的充磁方向为45度角，且指向气隙方向。

本发明实施例还提供了一种充磁方法，所述的方法为：

设置磁体N与磁体S的位置；

按照设置位置的水平方向，分别给磁体N和磁体S的中间段进行充磁；

沿45度角给磁体N的左、右段磁体进行充磁，且磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称；

沿45度角给磁体S的左、右段磁体进行充磁，且磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称，磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向，沿气隙镜像对称。

进一步的，给磁体N和磁体S的中间段充磁后，磁体N中间段的充磁方向指向气隙，且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。

本发明实施例还提供了一种硬盘马达，所述的马达包括转子和定子，所述转子和定子之间安装有上述的磁体。

发明内容中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是发明所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

本发明满足硬盘马达磁体的设计要求，特殊之处在于磁体材料改为廉价的铁氧体，整个磁体改为三段(以三段为例)，三段的充磁方向为Halbach 阵列，这种排列后可使得单侧气隙磁场强度B，增加为平行充磁的1.5倍，保证与采用钕铁硼材料时的气隙磁场强度B相一致，可有效降低材料成本，提高气隙磁场强度。

附图说明

图1是本发明实施例的磁体原理图；

图2是本发明实施例充磁方法流程图；

图3是本发明实施例硬盘马达的部分结构原理图；