[发明专利]一种减小晶圆键合对准偏差的方法在审

专利信息
申请号: 201810871529.9 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN109243974A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 吴立枢;戴家赟;孔月婵 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L21/68
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆表面 图形化金属 对准偏差 晶圆 低熔点金属 晶圆键合 电镀 减小 键合 蒸发 对准 升压 对准标记 干法刻蚀 晶圆正面 图形化 预键合 刻蚀 旋涂 固化 金属 流动
【权利要求书】:

1.一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是包括以下步骤:

1)A晶圆表面镀金属;

2)B晶圆表面镀金属;

3)A晶圆表面旋涂BCB;

4)A晶圆表面BCB软固化;

5)BCB图形化干法等离子体刻蚀;

6)晶圆间BCB键合。

2.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤1)A晶圆表面镀金属:在A晶圆(001)表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层图形化金属(003),厚度为0.5-1.0微米,A晶圆(001)两侧设有对准标记。

3.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤2)B晶圆表面镀金属:在B晶圆(002)表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层与图形化金属(003)图形相同的低熔点金属(004),厚度为1.0-2.0微米,B晶圆(002)两侧设有对准标记。

4.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤3)A晶圆表面旋涂BCB:在A晶圆(001)表面旋涂一层BCB,BCB完全覆盖图形化金属(003),BCB厚度为1.5-3.0微米。

5.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤4)A晶圆表面BCB软固化:将A晶圆(001)放入烘箱,对其表面的BCB进行软固化,软固化温度为150-180摄氏度,时间为1-2小时。

6.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤5)BCB图形化干法等离子体刻蚀:A晶圆(001)表面的BCB软固化完之后,对BCB进行图形化干法等离子体刻蚀,刻蚀图形与图形化金属(003)的图形相同,刻蚀至图形化金属(003)表面BCB干净。

7.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤6)晶圆间BCB键合:将A晶圆(001)和B晶圆(002)正面相对,利用键合对准机通过A晶圆(001)和B晶圆(002)上的对准标记实现图形对准后,放入键合机中键合,温度首先升高到低熔点金属(004)的熔点温度,实现图形化金属(003)与低熔点金属(004)预键合,然后继续升温加压实现A晶圆(001)和B晶圆(002)的BCB键合,温度250摄氏度,压力1000-2000mBar。

8.根据权利要求2所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤1)A晶圆表面镀金属中,所述图形化金属(003)为金、铜中的一种。

9.根据权利要求3所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤2)B晶圆表面镀金属中,所述低熔点金属(004)为铟、锡中的一种。

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