[发明专利]一种减小晶圆键合对准偏差的方法在审
申请号: | 201810871529.9 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109243974A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 吴立枢;戴家赟;孔月婵 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/68 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆表面 图形化金属 对准偏差 晶圆 低熔点金属 晶圆键合 电镀 减小 键合 蒸发 对准 升压 对准标记 干法刻蚀 晶圆正面 图形化 预键合 刻蚀 旋涂 固化 金属 流动 | ||
1.一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是包括以下步骤:
1)A晶圆表面镀金属;
2)B晶圆表面镀金属;
3)A晶圆表面旋涂BCB;
4)A晶圆表面BCB软固化;
5)BCB图形化干法等离子体刻蚀;
6)晶圆间BCB键合。
2.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤1)A晶圆表面镀金属:在A晶圆(001)表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层图形化金属(003),厚度为0.5-1.0微米,A晶圆(001)两侧设有对准标记。
3.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤2)B晶圆表面镀金属:在B晶圆(002)表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层与图形化金属(003)图形相同的低熔点金属(004),厚度为1.0-2.0微米,B晶圆(002)两侧设有对准标记。
4.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤3)A晶圆表面旋涂BCB:在A晶圆(001)表面旋涂一层BCB,BCB完全覆盖图形化金属(003),BCB厚度为1.5-3.0微米。
5.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤4)A晶圆表面BCB软固化:将A晶圆(001)放入烘箱,对其表面的BCB进行软固化,软固化温度为150-180摄氏度,时间为1-2小时。
6.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤5)BCB图形化干法等离子体刻蚀:A晶圆(001)表面的BCB软固化完之后,对BCB进行图形化干法等离子体刻蚀,刻蚀图形与图形化金属(003)的图形相同,刻蚀至图形化金属(003)表面BCB干净。
7.根据权利要求1所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤6)晶圆间BCB键合:将A晶圆(001)和B晶圆(002)正面相对,利用键合对准机通过A晶圆(001)和B晶圆(002)上的对准标记实现图形对准后,放入键合机中键合,温度首先升高到低熔点金属(004)的熔点温度,实现图形化金属(003)与低熔点金属(004)预键合,然后继续升温加压实现A晶圆(001)和B晶圆(002)的BCB键合,温度250摄氏度,压力1000-2000mBar。
8.根据权利要求2所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤1)A晶圆表面镀金属中,所述图形化金属(003)为金、铜中的一种。
9.根据权利要求3所述的一种减小晶圆键合对准偏差的方法,其特征是所述步骤2)B晶圆表面镀金属中,所述低熔点金属(004)为铟、锡中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造