[发明专利]基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统及方法

权利要求书

1.基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，包括冷等离子发生器及为所述冷等离子发生器提供电压源的高压高频电源装置；

所述高压高频电源装置包括依次相连的振荡器、调制器、功率放大器及压电陶瓷变压器；

所述振荡器产生振荡信号并传输至调制器，所述调制器根据档位控制信号及冷等离子发生器工作状态的反馈信号对振荡信号进行调整并输出至功率放大单元进行功率放大处理，功率放大单元进行功率放大处理后传输至压电陶瓷变压器；

所述振荡器和调制器输出的振荡频率与压电陶瓷变压器的谐振频率一致时，所述压电陶瓷变压器输出功率至冷等离子发生器，使得冷等离子发生器产生稳定、长距离的等离子体射流。

2.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述高压高频电源装置还包括工作状态反馈与保护检测器，所述工作状态反馈与保护检测器连接在调制器与等离子体发生器之间，将等离子体发生器的工作状态反馈至调制器实现对等离子体发生器的保护。

3.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述高压高频电源装置的振荡器、调制器、功率放大器均接入直流电源，所述直流电源为12V的电压适配器。

4.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述振荡器、调制器、用于控制振荡器与调制器的控制单元采用单片集成电路。

5.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述功率放大单元包括推挽架构的MOSFET功率模块及与之相连的保护检测电路构成。

6.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述冷等离子发生器为基于介质阻挡放电的固定式冷等离子发生器，包括电源、两个电极和电介质，两个电极为内电极及外电极；

所述内电极穿过石英管，所述外电极与石英管串接成桶状，形成环形电极；

所述内电极及外电极之间连接只有交流电源，通过调节交流电源电压和频率，内外电极产生的放电是等离子介质阻挡放电的射流模式。

7.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述冷等离子发生器为基于冷等离子体射流的手持式冷等离子发生器，包括枪式外壳，所述枪式外壳内设置有外层石英管、内部高压电极、外部接地电极及气体导流管；

所述气体导流管设置在枪式外壳的下部并通入惰性气体，所述内部高压电极与高压高频电源装置相连，高压高频电源装置施加高压至内部高压电极，所述外层石英管内将产生等离子体，并随气流从枪式外壳的喷嘴口喷出形成等离子体射流。

8.如权利要求1所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统，其特征是，所述惰性气体由储气罐内的惰性气体气源提供，所述储气罐端口还连接有减压阀及通气管，所述通气管连接至气体导流管。

9.一种应用，其特征是，所述基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统用于青少年痤疮治疗。

10.利用权利要求1-8任一所述的基于压电陶瓷变压器的冷等离子体射流系统的工作方法，其特征是，包括：

控制振荡器产生振荡信号并传输至调制器；

调制器根据档位控制信号及冷等离子发生器工作状态的反馈信号对振荡信号进行调整并输出至功率放大单元进行功率放大处理，功率放大单元进行功率放大处理后传输至压电陶瓷变压器；

工作状态反馈与保护检测器将压电陶瓷变压器的输出信号反馈给调制器，使得功率放大器输出频率与压电陶瓷变压器谐振频率一致，压电陶瓷变压器输出功率至冷等离子发生器，使得冷等离子发生器产生稳定、长距离的等离子体射流。