[发明专利]双负极光电二极管芯片及其制作方法在审
申请号: | 201810872855.1 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109216477A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;刘格 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极 凸台 衬底 芯片 光电二极管芯片 正极 第二电极 第一区域 第二区域 第一电极 外延功能 元件连接 背离 焊盘 电感 并行金属 衬底表面 金线连接 器件连接 制作 包围 | ||
本发明公开了一种双负极光电二极管芯片及其制作方法,光电二极管芯片包括:芯片衬底;设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层;外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台;负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围第一区域的第二区域,正极凸台位于第一区域;位于正极凸台背离负极凸台一侧表面的第一电极环;位于第二区域的第二电极环;第一电极环连接有一个焊盘,第二电极环连接有两个焊盘。第二电极环可以通过两根并行金属线与其他元件连接,与其他元件连接后,具有较低的电感,两根金线连接可以提高器件连接的可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,更具体的说,涉及一种双负极光电二极管芯片及其制作方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展,光电二极管芯片广泛的应用于人们的日常生活和工作当中,例如光纤通信、数据中心、光学探测等诸多领域具有广泛的应用,为人们的日常生活和工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
光电二极管芯片需要其他元件连接配合使用,传统的光电二极管芯片的结构会导致连接后具有较高的电感,连接时的可靠性低。
发明内容
为了解决上述问题,本发明技术方案提供了一种双负极光电二极管芯片及其制作方法,可以降低光电二极管芯片与其他元件连接后的电感,提高光电二极管芯片的可靠性。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种双负极光电二极管芯片,所述光电二极管芯片包括:
芯片衬底;
设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层;所述外延功能层具有位于所述芯片衬底表面的负极凸台以及位于所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧表面的正极凸台;所述负极凸台背离所述芯片衬底一侧的表面具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域,所述正极凸台位于所述第一区域;
位于所述正极凸台背离所述负极凸台一侧表面的第一电极环;
位于所述第二区域的第二电极环;
其中,所述第一电极环连接有一个焊盘,所述第二电极环连接有两个焊盘。
优选的,在上述光电二极管芯片中,所有所述焊盘位于同一平面。
优选的,在上述光电二极管芯片中,所述正极凸台背离所述负极凸台的一侧表面包括:通光窗口以及包围所述通光窗口的外围区域;
所述第一电极环位于所述外围区域,包围所述通光窗口;
所述第二电极环位于所述第二区域,包围所述正极凸台。
优选的,在上述光电二极管芯片中,所述芯片衬底设置所述外延功能层的一侧表面包括:第三区域以及包围所述第三区域的第四区域;
所述外延功能层位于所述第三区域;
所述焊盘均位于所述第四区域。
优选的,在上述光电二极管芯片中,还包括:覆盖所述第四区域、所述负极凸台以及所述正极凸台的钝化层,所述钝化层对应所述通光窗口、所述第一电极环以及所述第二电极的位置具有开口;
其中,所有所述焊盘位于所述钝化层背离所述芯片衬底的一侧。
优选的,在上述光电二极管芯片中,还包括:覆盖所述通光窗口的增透膜,所述增透膜还覆盖所述钝化层。
优选的,在上述光电二极管芯片中,所述第二电极环具有开口,所述开口用于引出所述第一电极圆环连接的所述焊盘;
所述第二电极环包括中间部,以及与所述中间部两端分别连接的第一部以及第二部,所述第一部与所述第二部之间具有所述开口。
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