[发明专利]FINFET共源共栅横向扩散半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有包括第一掺杂剂的第一阱区域及包括第二掺杂剂的第二阱区域；

一或多个半导体鳍结构，其形成于所述衬底上，所述一或多个半导体鳍结构具有沿着沟道轴线穿过所述第一阱区域的沟道区域；

漏极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上；

源极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上，所述第一阱区域及所述漏极区域经形成而以第一操作电压来操作，所述第二阱区域及所述源极区域经形成而以小于所述第一操作电压的第二操作电压来操作；

栅极结构，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上；

虚设栅极，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上，所述虚设栅极安置于所述栅极结构与所述漏极区域之间；及

多个外延生长结构，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上，其中所述虚设栅极安置于所述多个外延生长结构中的两个外延生长结构之间且邻近于所述两个外延生长结构，且其中所述多个外延生长结构包括具有比所述第一掺杂剂或所述第二掺杂剂中的至少一者的掺杂浓度大的掺杂浓度的掺杂材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述虚设栅极具有与所述虚设栅极沿着所述沟道轴线的长度成正比的电阻。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个外延生长结构中的第一外延生长结构形成于所述栅极结构与所述虚设栅极之间且邻近于所述栅极结构及所述虚设栅极，且其中所述多个外延生长结构中的第二外延生长结构形成于所述虚设栅极与所述漏极区域之间且邻近于所述虚设栅极及所述漏极区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括安置于所述一或多个半导体鳍结构上的间隔件，其中所述间隔件安置于所述第二外延生长结构与所述漏极区域之间且邻近于所述第二外延生长结构及所述漏极区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述虚设栅极具有比所述栅极结构沿着所述沟道轴线的长度大的长度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一或多个半导体鳍结构的位于所述虚设栅极正下方的至少一部分包括具有比所述第一掺杂剂或所述第二掺杂剂中的至少一者的掺杂浓度小的掺杂浓度的掺杂材料。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述一或多个半导体鳍结构的位于所述栅极结构或所述漏极区域正下方的至少一部分具有比所述一或多个半导体鳍结构的位于所述虚设栅极正下方的具有所述掺杂材料的所述至少一部分的掺杂浓度小的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括与所述衬底接触的深n阱层，其中所述深n阱层横向邻近于所述第一阱区域及所述第二阱区域安置。

9.一种半导体装置，其包括：

衬底；

第一阱区域，其在所述衬底中，所述第一阱区域包括第一掺杂剂；

第二阱区域，其在所述衬底中，所述第二阱区域包括第二掺杂剂，所述第二阱区域沿着沟道轴线从所述第一阱区域横向定位；

一或多个半导体鳍结构，其形成于所述衬底上，所述一或多个半导体鳍结构具有穿过所述第一阱区域的沟道区域；

漏极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上；

源极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上，所述第一阱区域及所述漏极区域经形成而以第一操作电压来操作，所述第二阱区域及所述源极区域经形成而以小于所述第一操作电压的第二操作电压来操作；

栅极结构，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上；

虚设栅极，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上，所述虚设栅极安置于所述栅极结构与所述漏极区域之间；及

多个外延生长结构，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上，其中所述虚设栅极安置于所述多个外延生长结构中的两个外延生长结构之间且邻近于所述两个外延生长结构，且其中所述多个外延生长结构包括具有比所述第一掺杂剂或所述第二掺杂剂中的至少一者的掺杂浓度大的掺杂浓度的掺杂材料。