[发明专利]Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述雪崩光电探测器芯片包括：

外延片，所述外延片包括芯片衬底以及设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层；所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域；所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环；

钝化层，所述钝化层设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面，且具有露出所述第一区域的开口；

第一电极，所述第一电极位于所述外延功能背离所述芯片衬底的一侧，所述第一电极与所述Be离子注入扩散保护环电连接；

第二电极，位于所述芯片衬底背离所述外延功能层的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述外延功能层包括：

设置在所述芯片衬底一侧表面的缓冲层；

设置在所述缓冲层背离所述芯片衬底一侧表面的吸收层；

设置在所述吸收层背离所述缓冲层一侧表面的顶层；

其中，所述扩散区以及所述Be离子注入扩散保护环均位于所述顶层背离所述吸收层一侧的表面内，所述Be离子注入扩散保护环的离子注入深度以及所述扩散区的扩散深度均小于所述顶层的厚度。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环中Be元素的离子注入深度为d1；

所述扩散区为Zn扩散区，Zn元素的扩散深度为d2；

其中，1μm＜d1-d2＜10μm。

4.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述扩散区为Zn扩散区，Zn元素的扩散深度为d2；

其中，2μm＜d2＜5μm。

5.根据权利要1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环的外径为D1，内径为D2；

其中，0＜(D1-D2)/2＜10μm。

6.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环的外径为D1；

其中，10μm＜D1＜30μm。

7.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述第一电极包括：Ti层、Pt层以及Au层，其中，所述Ti层朝向所述外延功能层设置。

8.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述第二电极包括：Ni层以及Au层，其中，所述Ni层朝向所述芯片衬底设置。

9.根据权利要求1-8任一项所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述第二电极具有通光窗口，在垂直于所述芯片衬底的方向上，所述通光窗口与所述扩散区正对设置。

10.根据权利要求1-8任一项所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述第一电极包括位于所述开口内的电极环，所述电极环覆盖所述扩散保护环区域且具有露出所述扩散区的通光窗口。