[发明专利]废液处理装置及废液处理方法在审
申请号: | 201810873780.9 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109133497A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 章仟益 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14;C02F101/20;C02F101/38 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 废液 废液处理装置 芬顿反应系统 离子交换系统 生化处理系统 絮凝系统 废液处理 降解 去除 深度生化处理 小分子有机物 重金属离子 无机盐 可生化性 依次连通 储存槽 有机物 杂化 水污染 存储 | ||
本发明提供一种废液处理装置及废液处理方法。该废液处理装置包括依次连通的储存槽、离子交换系统、芬顿反应系统、絮凝系统以及生化处理系统,存储罐中的废液依次通过离子交换系统、芬顿反应系统及絮凝系统,所述离子交换系统用于去除废液中的重金属离子,所述芬顿反应系统用于降解废液中的含氮杂化有机物,所述絮凝系统用于去除废液中的小分子有机物和无机盐,使到达生化处理系统的废液可生化性大大增强,从而所述生化处理系统能够对废液进行深度生化处理,进而完全降解废液,有效防止水污染。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种废液处理装置及废液处理方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路技术,它是在玻璃或塑料基板等非单晶片上,通过溅射、化学沉积等多步工艺构造极微细的各种膜,并通过刻蚀、剥离等对膜进行加工,制造集成电路。
以往的液晶显示装置的金属配线或电极是用的多为铝或者铝合金,刻蚀液体系一般为无机酸的混合物。随着显示技术的发展,尤其是显示技术向着大型化及高分辨率化的发展中,传统的金属导线会随着配线的变长,电阻的增加,从而放大信号延迟等问题,造成显示效果的退化。所以,开始了向使用电阻更低的金属配线的研发,即铜制成的研发。由于金属特性的不同,相应的,也开发出新型的金属刻蚀液。铜酸蚀刻液目前多为双氧水体系配以一定的添加剂,已在实际生产中得到应用,是一种较为成熟的技术。
现有技术中,铜酸刻蚀液主要包括双氧水(约18%)、有机酸、含氮杂化物质(如吡咯,氮杂茂唑,氮二烯五环)等高浓度有机物质,双氧水的主要作用是刻蚀铜膜,然而在刻蚀完铜导线或铜电极后,产生的铜酸刻蚀废液中依旧还有大量的双氧水、有机酸、及含氮杂化物质,且铜酸刻蚀废液中还包含大量的铜离子(Cu2+),该铜酸刻蚀废液不能直接排放,一方面是因为会有重金属污染,另一方面因含有大量难以被自然环境中的生物降解的有机物。目前,对于铜酸刻蚀废液的降解和回收处理存在一定困难,难以对Cu2+进行有效回收,且大量难以降解的有机物导致废水化学需氧量(COD)含量偏高,可生化性差,进行生化处理也比较困难。因此,亟需一种解决上述问题的装置及方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种废液处理装置,能够对废液进行深度生化处理,进而完全降解废液,有效防止水污染。
本发明的目的还在于提供一种废液处理方法,能够对废液进行深度生化处理,进而完全降解废液,有效防止水污染。
为实现上述目的,本发明提供了一种废液处理装置,包括:依次连通的储存槽、离子交换系统、芬顿反应系统、絮凝系统以及生化处理系统;
所述储存槽,用于存储第一废液并将第一废液输送到离子交换系统,所述第一废液包括无机物、重金属离子及含氮杂化有机物;
所述离子交换系统,用于对所述第一废液中的重金属离子进行降解和回收,并输出第二废液到芬顿反应系统,所述第二废液包括无机物及含氮杂化有机物;
所述芬顿反应系统,用于与第二废液的无机物反应并对所述第二废液中的含氮杂化有机物进行降解,并输出第三废液到絮凝系统,所述第三废液包括小分子有机物和无机盐;
所述絮凝系统,用于对所述第三废液中的小分子有机物和无机盐进行絮凝、沉淀及过滤,并输出第四废液到生化处理系统;
所述生化处理系统,用于对所述第四废液进行生物降解处理絮凝系统。
所述无机物为过氧化氢;所述重金属离子为铜离子;所述含氮杂化有机物为吡咯、氮杂茂唑及氮二烯五环中的一种或多种。
所述离子交换系统包括阳离子交换柱,该阳离子交换柱用于与第一废液中的重金属离子进行交换得到含重金属离子的载体,对含重金属离子的载体进行修复重生以回收重金属离子。
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