[发明专利]曝光方法、曝光装置和制造物品的方法有效
申请号: | 201810874025.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109388034B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 小泉僚;中村忠央 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 方法 装置 制造 物品 | ||
本发明公开了曝光方法、曝光装置和制造物品的方法。本发明提供一种曝光方法,所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理,所述方法包括:第一曝光处理,所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性,并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光;第二曝光处理,所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光,其中,重复地执行所述第一曝光处理,并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。
技术领域
本发明涉及曝光方法、曝光装置和制造物品的方法。
背景技术
作为在诸如用于半导体器件的制造处理(光刻处理)中使用的一个装置,已知用于经由投影光学系统对基板进行曝光并将掩模的图案转印到基板上的曝光装置。在该曝光装置中,由于曝光光(exposurelight)的一部分在投影光学系统中被吸收,因此投影光学系统的光学特性受由此产生的热的影响而波动,并且以良好的精度将掩模的图案转印到基板上可能是困难的。
日本专利公开No.S63-58349提出了如下方法:该方法用于使用将曝光量、曝光时间等当作变量的预测公式(模型公式)来预测投影光学系统的光学特性,并基于其预测值来控制投影光学系统的光学特性。日本专利公开No.S63-58349还提出了如下方法:该方法为了减小预测值中产生的误差,实际测量投影光学系统的光学特性,并基于测量值来校正预测公式。另外,日本专利公开2006-157020提出了如下方法:该方法用于根据投影光学系统的光学特性的测量值和预测值之间的误差来改变下一次实际测量光学特性的时间间隔。
如日本专利公开2006-157020所记载的,当基于光学特性的测量值和预测值之间的误差来确定预测公式的适当性时,例如,在光学特性的测量值中出现测量误差的情况下,可能难以适当地执行预测公式的适当性的确定。结果,可能执行实际上不需要的光学特性测量,这对于吞吐量是不利的。
发明内容
本发明提供例如在吞吐量上有利的曝光方法。
根据本发明的一个方面,提供一种曝光方法,所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理,所述方法包括:第一曝光处理,所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性,并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光;第二曝光处理,所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光,其中,所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数,以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛,并且其中,在所述曝光方法中,重复地执行所述第一曝光处理,并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。
根据本发明的一个方面,提供一种曝光装置,所述曝光装置重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理,所述装置包括:测量设备,所述测量设备被配置为测量所述投影光学系统的光学特性;以及控制器,所述控制器被配置为在重复地执行第一曝光处理之后,开始第二曝光处理,所述第一曝光处理用于在基于使所述测量设备测量所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光,所述第二曝光处理用于在基于根据预测公式预测所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光,其中,所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数,以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛,并且其中,所述控制器被配置为在其中判断所确定的所述预测公式的系数收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。
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