[发明专利]阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810874262.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109065712A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;吕杭炳;刘明;许晓欣;路程;赵盛杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 铁电材料层 铁电薄膜 下电极层 掺杂的 电极层 制备 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器自下而上依次包括下电极层、铁电材料层和上电极层，其中，所述铁电材料层包括经掺杂的HfO2铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述铁电材料层包括掺杂Zr、Al、Si、La中至少一种元素的HfO2铁电薄膜。
3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，掺杂元素的摩尔百分比为0.1-50mol％。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述下电极层包括单质W、Al、Ti、Ta、Ni、Hf，以及导电金属化合物TiN、TaN中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极层包括单质W、Al、Cu、Ru、Ti、Ta，以及导电金属化合物TiN、TaN、IrO2、ITO、IZO中的一种或多种。
6.一种制备阻变存储器的方法，包括：
在衬底上形成下电极层；
在所述下电极层上形成铁电材料层，所述铁电材料层包括经掺杂的HfO2铁电薄膜；
在所述铁电材料层上形成上电极层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述铁电材料层包括掺杂Zr、Al、Si、La中至少一种元素的HfO2铁电薄膜。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，掺杂的方法包括原子层沉积法(ALD)或共溅射法(co-sputtered)。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在下电极层上形成铁电材料层之后，进行退火处理，退火温度为400～1000℃，退火时间为30～300s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810874262.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
