[发明专利]AgNR/O-g-C3 有效
申请号: | 201810874980.6 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108982471B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 渠陆陆;耿志琴;韩彩芹;王稳;杨国海 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;G01N21/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | agnr base sub | ||
1.一种AgNR/O-g-C3N4基底,所述AgNR/O-g-C3N4基底由以下方法制备:
S1:将玻璃载片清洗干燥后放在沉积平台上;
S2:以玻璃载片为支撑基底,在电子束蒸发器中,于1×10-6 Torr真空中,分别沉积钛膜和银膜系统;
S3:以沉积角度86°旋转沉积平台,沉积银膜,得AgNR阵列;
S4:将三聚氰胺置于马弗炉中煅烧,自然冷却至室温,得块状g-C3N4;
S5:将块状g-C3N4粉碎,放入坩埚煅烧后记为M-O-g-C3N4,煅烧M-O-g-C3N4得单层O-g-C3N4;S6:将单层O-g-C3N4通过超声处理分散在有机溶液中,取超声处理后的O-g-C3N4液滴滴在AgNR基底上,烘烤AgNR基底,洗涤,得AgNR/O-g-C3N4基底;所述步骤S2具体包括:以玻璃载片为支撑基底,在电子束蒸发器中,于1×10-6 Torr的压力下,以0.2 nm/s速率沉积20 nm的钛膜,以0.3 nm/s的速率沉积500 nm的银膜系统;所述步骤S3具体包括:以沉积角度86°旋转沉积平台,以0.3 nm/s的速率沉积2000 nm银膜;所述步骤S4具体包括:将2 g三聚氰胺置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至550℃,煅烧4小时,将煅烧后的三聚氰胺自然冷却至室温,得块状g-C3N4;所述步骤S5具体包括:将500 mg块状g-C3N4粉碎后,放入坩埚中,以5℃/min的速率升温至550℃,煅烧1小时后得黄色样品,记为M-O-g-C3N4,将M-O-g-C3N4以2℃/min加热至550℃,煅烧2 h,得白色样品,表示为单层O-g-C3N4;所述步骤S6具体包括:将1mg单层O-g-C3N4通过2分钟的超声分散在5mL异丙醇溶液中,取超声处理后的80 μL O-g-C3N4液滴滴在AgNR基底上,然后将AgNR基底在50 ℃的电加热板上烘烤10秒,之后用去离子水洗涤AgNR基底三次以上得AgNR/O-g-C3N4基底。
2.权利要求1中所述AgNR/O-g-C3N4基底在可循环SERS灵敏检测中的应用。
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