[发明专利]双光栅可调谐太赫兹开关在审
申请号: | 201810875735.7 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109061909A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 李九生;邓玉强 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;H01P1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置电压 可调谐 信号输入端 双光栅 二氧化硅层 金属电极端 信号输出端 光栅 垂直金属 关闭性能 开关特性 开关性能 太赫兹波 行进控制 基底层 石墨烯 透射率 操控 灵活 制造 | ||
1.一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、金属电极端(3)、垂直金属条(4)、水平石墨烯光栅(5)、偏置电压(6)、信号输入端(7)、信号输出端(8);基底层(1)为绝缘硅层,基底层(1)的上层为二氧化硅层(2),金属电极端(3)位于二氧化硅层(2)的左右两端,二氧化硅层(2)的上层铺有周期等间距排列的垂直金属条(4)、周期等间距排列的水平石墨烯光栅(5),垂直金属条(4)与水平石墨烯光栅(5)相互交叉周期性排列,信号输入端(7)位于金属条层上方,信号输出端(8)位于基底层的下方,偏置电压(6)的两级分别接在金属电极端(3)与基底层(1),当太赫兹波从信号输入端(7)输入时,依次经过金属条(4)与水平石墨烯光栅(5)层、二氧化硅层(2)、基底层(1)由信号输出端(8)输出信号,通过调节偏置电压(6),改变超材料的透射率,实现对太赫兹开关特性的控制,当偏置电压由0.5eV增加到1.5eV时,太赫兹器件的透射率由99.5%降低到17.5%以下,实现了可调谐太赫兹开关的打开与关闭性能。
2.根据权利要求1所述的一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于所述的基底层(1)的材料为绝缘硅,长度为245~255μm,宽度为275~285μm,厚度为24~26μm。
3.根据权利要求1所述的一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于所述的二氧化硅层(2)的长度为245~255μm,宽度为275~285μm,厚度为12~14nm。
4.根据权利要求1所述的一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于所述的金属电极端(3)的材料为铜,总长度为245~255μm,宽度为14~18μm,厚度为17~19μm。
5.根据权利要求1所述的一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于所述的垂直金属条(4)材料为Au,光栅的长度为35~45μm,宽度为8~12μm,厚度为0.32~0.36nm。
6.根据权利要求1所述的一种双光栅可调谐太赫兹开关,其特征在于所述的水平石墨烯光栅(5)的材料为石墨烯,总长度为245~255μm,宽度为5~6μm。
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