[发明专利]无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片

权利要求书

1.无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤a，在衬底（6）的上方形成外延层（5）；

步骤b，在外延层（5）表面两侧分别至少划出一个耐压环沟槽（2）；

步骤c，进行热氧化，在外延层（5）的表面以及耐压环沟槽（2）的侧壁上形成绝缘物；

步骤d，在外延层（5）的表面以及耐压环沟槽（2）内部填充绝缘材料（1）；

步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；

步骤f，在外延层（5）表面形成肖特基界面（3）；

步骤g，将形成于绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）去除；

步骤h，在耐压环沟槽（2）中心位置或两个耐压环沟槽（2）对肖特基芯片进形切割。

2.根据权利要求1所述的无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法，其特征在于：在完成所述步骤g之后，在所述肖特基界面（3）上方和衬底（6）下方分别形成阳极金属层（4）和阴极金属层（8）。

3.根据权利要求1所述的无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法，其特征在于：所述的耐压环沟槽（2）在外延层（5）表面两侧分别设置有一个，在耐压环沟槽（2）的中部进行切割。

4.根据权利要求1所述的无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法，其特征在于：所述的耐压环沟槽（2）在外延层（5）表面两侧分别设置有两个，在两个耐压环沟槽（2）之间进行切割。

5.一种肖特基芯片，包括衬底（6）以及位于衬底（6）上方的外延层（5），在外延层（5）的表面设置有肖特基界面（3），其特征在于：在外延层（5）的外侧设置有至少一组耐压环，耐压环包括耐压环沟槽（2）和填充在耐压环沟槽（2）内的绝缘材料（1），所述的肖特基界面（3）位于耐压环的内侧。

6.根据权利要求5所述的肖特基芯片，其特征在于：所述的耐压环沟槽（2）的截面为“L”状，耐压环沟槽（2）自外延层（5）的上表面向下延伸，穿过外延层（5）后继续向下进入衬底（6）中，然后向外侧垂直弯曲延伸至衬底（6）的外侧。

7.根据权利要求5所述的肖特基芯片，其特征在于：所述的耐压环沟槽（2）的截面为“U”状，耐压环沟槽（2）的侧壁和底面垂直设置。

8.根据权利要求5所述的肖特基芯片，其特征在于：在所述的耐压环沟槽（2）的内壁上设置有沟槽内壁绝缘层（7）。