[发明专利]光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法

说明书

本发明涉及光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法。[课题]本发明提供在稳定的条件下高效地对相移膜进行修正的方法及其相关技术。[解决手段]一种在透明基板上具备将遮光膜和半透光膜分别进行图案化而形成的、具有透光部、遮光部和宽度d1(μm)的半透光部的转印用图案的光掩模的修正方法，修正方法具有：确定在半透光部产生的缺陷的工序；和在所确定的缺陷的位置形成修正膜从而形成具有d2(μm)的宽度的修正半透光部的修正膜形成工序，该修正方法中，d13.0，半透光膜对曝光光中所含的代表波长具有透射率T1(％)、并且具有使代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性，修正膜对代表波长具有透射率T2(％)、并且具有使代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性，T2T1且d2d1、或者T2T1且d2d1。

技术领域

本发明涉及有效地用于制造以液晶显示器、有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示器为代表的显示装置的光掩模的修正(修复)方法。

背景技术

专利文献1中记载了一种在多灰度光掩模的半透光部产生缺失缺陷(白色缺陷)或过剩缺陷(黑色缺陷)时对其进行修正的方法。此处，按照透明基板露出的透光部与形成有修正膜的修正部对i射线～g射线的波长光的相位差为80度以下的方式形成修正膜。

另外，专利文献2中记载了一种光掩模，其是具备成膜于透明基板上的、通过将半透光膜和遮光膜分别进行图案化而形成的转印用图案的光掩模，上述半透光膜使处于i射线～g射线的波长范围的代表波长的光的相位偏移大致180度、并且对上述代表波长具有透射率T1(％)，上述遮光膜对上述代表波长的光具有比上述半透光膜的透射率T1(％)低的透射率T2(％)，上述转印用图案具有：由上述透明基板露出的透光部构成的直径W1(μm)的主图案；配置在上述主图案的附近、由在上述透明基板上形成有上述半透光膜的半透光部构成的宽度d(μm)的辅助图案；和配置在上述转印用图案中形成有上述主图案和上述辅助图案的区域以外的区域的、在上述透明基板上至少形成有上述遮光膜的遮光部，W1、T1和d具有规定的关系。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-198006号公报

专利文献2：日本特开2016-024264号公报

发明内容

发明所要解决的课题

目前，在包括液晶显示装置、EL显示装置等的显示装置中，在更明亮且省电的同时期望高精细、高速显示、广视角这样的显示性能的提高。

例如，就上述显示装置中使用的薄膜晶体管(Thin Film transistor：TFT)而言，在构成TFT的2个以上的图案中，形成于层间绝缘膜的接触孔若不具有可靠地使上层和下层的图案连接的作用就无法保证正确的工作。另一方面，例如为了制成使液晶显示装置的开口率尽可能大、明亮、省电的显示装置，要求接触孔的孔径充分小，伴随这些显示装置的高密度化的要求，期望孔图案的直径也微细化(例如小于3μm)。例如，需要直径为0.8μm以上2.5μm以下的孔图案、进而直径为2.0μm以下的孔图案，具体而言，具有0.8～1.8μm的直径的图案的形成也成为课题。

另外，在与显示装置相比集成度高、图案的微细化显著发展的半导体装置(LSI)制造用光掩模的领域中，经历了为了得到高分辨率而在曝光装置中应用高数值孔径(NA)(例如0.2以上)的光学系统、推进曝光光的短波长化的过程。其结果，在该领域中，多使用KrF、ArF的准分子激光(分别为248nm、193nm的单一波长)。

另一方面，在显示装置制造用的光刻领域中，通常不会为了提高分辨率而应用如上所述的方法。例如在该领域中使用的曝光装置所具有的光学系统的数值孔径(NA)为0.08～0.15左右。另外，曝光光源也多使用i射线、h射线或g射线，通过使用主要包含这些射线的宽波长光源而得到用于照射大面积(例如，边长为300～2000mm的四边形)的光量、重视生产效率和成本的倾向强。