[发明专利]五级单相降压型DC/DC转换器及五级两相降压转换器

权利要求书

1.一种五级单相降压型DC/DC转换器，其特征在于，包括控制晶片、4对互补开关、电感、电容、电阻、第一飞跨电容、第二飞跨电容及第三飞跨电容，4对所述互补开关包括第一PMOS管和第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管、第三PMOS管和第三NMOS管、第四PMOS管和第四NMOS管，其中：

所述第一PMOS管的源极作为转换器的输入端，第一至第四PMOS管按照漏极与源极的连接方式依次串联，所述第四PMOS管的漏极分别与所述电感的第一端及所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四至第一NMOS管按照源极与漏极的连接方式依次串联，所述第一NMOS管的源极接地，所述电感的第二端分别与所述电容的第一端及所述电阻的第一端连接，其公共端作为所述转换器的输出端，所述电容的第二端及所述电阻的第二端均接地；

所述第一飞跨电容、所述第二飞跨电容及所述第三飞跨电容在不跨接于同一位置的前提下，所述第一飞跨电容和所述第二飞跨电容分别跨接于任一相邻的两对互补开关之间，所述第三飞跨电容跨接于所述转换器的输入端与地之间；其中，跨接于第n对与第n+1对互补开关之间的飞跨电容两端的满电电压等于所述转换器输入电压的(4-n)/4，n＝1，2，3；跨接于所述转换器的输入端与地之间的飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压；

所述控制晶片用于通过控制4对所述互补开关的开通或关断，实现五级电压转换。

2.如权利要求1所述的五级单相降压型DC/DC转换器，其特征在于，所述第一飞跨电容跨接于第三对互补开关与第四对互补开关之间，所述第二飞跨电容跨接于第二对互补开关与第三对互补开关之间，所述第三飞跨电容跨接于所述转换器的输入端与地之间；

则所述第一飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的1/4，所述第二飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的1/2，所述第三飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压。

3.如权利要求1所述的五级单相降压型DC/DC转换器，其特征在于，所述第一飞跨电容跨接于第三对互补开关与第四对互补开关之间，所述第二飞跨电容跨接于第一对互补开关与第二对互补开关之间，所述第三飞跨电容跨接于所述转换器的输入端与地之间；

则所述第一飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的1/4，所述第二飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的3/4，所述第三飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压。

4.如权利要求1所述的五级单相降压型DC/DC转换器，其特征在于，所述第一飞跨电容跨接于第二对互补开关与第三对互补开关之间，所述第二飞跨电容跨接于第一对互补开关与第二对互补开关之间，所述第三飞跨电容跨接于所述转换器的输入端与地之间；

则所述第一飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的1/2，所述第二飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压的3/4，所述第三飞跨电容两端的满电电压等于所述输入电压。

5.一种五级两相降压转换器，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的五级单相降压型DC/DC转换器，还包括：

与所述五级单相降压型DC/DC转换器在去除电容、电阻后的电路结构及内部各器件选型完全相同的另一相五级降压转换器；其中，五级两相降压转换器所包含的两个第一PMOS管的源极连接，其公共端作为所述五级两相降压转换器的输入端，所述五级两相降压转换器所包含的两个电感的第二端连接，其公共端作为所述五级两相降压转换器的输出端。