[发明专利]全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法

权利要求书

1.一种全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，包括：

一光二极管，位于一基板的上部；

一浮置扩散区，位于该基板的上部；

一储存二极管，位于该基板的上部，该储存二极管位于该光二极管及该浮置扩散区之间；

一第一传输栅极，位于该光二极管及该储存二极管之间的该基板之上；

一第二传输栅极，位于该储存二极管及该浮置扩散区之间的该基板之上；

一第一介电层，位于该基板之上，且覆盖该第一传输栅极及该第二传输栅极；

一遮光层，设于该第一介电层上；及

一光管，穿过该遮光层与部分的该第一介电层，对应设置于该光二极管的上方，

其中该光管的折射率大于该第一介电层的折射率。

2.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，于上视图中该光管的投影落于该光二极管的投影的范围内。

3.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管的上管径大于该光管的下管径。

4.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管的上管径与下管径的比值介于1至3之间。

5.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管的上管径与该光二极管的宽度的比值介于0.2至1之间。

6.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管的底表面与该光二极管之间的距离介于0至600nm之间。

7.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管包括聚甲基丙烯酸甲酯、全氟环丁基聚合物、聚亚酰胺、或环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管的折射率大于1.46。

9.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该光管包括两种以上不同折射率的材料。

10.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该遮光层包括钨、铝、氮化硅、氮化钨、金属氮化物、金属氧化物、或上述的组合。

11.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该遮光层的消光系数大于1，该遮光层的反射率大于90％。

12.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，该遮光层具有至少两膜层。

13.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，还包括：

一第二介电层，位于该遮光层与该光管之上。

14.根据权利要求1所述的全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，还包括：

一钝化层，毯覆性地覆盖于该遮光层上；

一底层，毯覆性地覆盖于该钝化层上；

一彩色滤光片，位于该底层之上，且位于该光管的上方；及

一微透镜，位于该彩色滤光片上，且位于该光管的上方。