[发明专利]一种QLED显示面板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种QLED显示面板，包括：

相对设置的第一基板和第二基板；

形成于所述第一基板和第二基板之间、且沿所述第一基板指向所述第二基板方向排列的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；其特征在于，还包括：

形成于所述空穴传输层朝向所述量子点发光层一侧的第一离子型配位化合物层，所述第一离子型配位化合物层内部具有第一内部电场，且所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。

2.根据权利要求1所述的QLED显示面板，其特征在于，所述第一离子型配位化合物层的制备材料为有机金属配位化合物。

3.根据权利要求2所述的QLED显示面板，其特征在于，所述第一离子型配位化合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中：

所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、邻菲咯啉卤代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶卤代物、苯基恶二唑吡啶、苯基恶二唑吡啶卤代物、苯基吡啶、苯基吡啶卤代物、联吡啶、联吡啶卤代物或三卤甲基取代物中的一种；

所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸卤代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸卤代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物或三卤甲基取代物中的一种。

4.根据权利要求1所述的QLED显示面板，其特征在于，还包括形成于所述量子点发光层朝向所述电子传输层一侧的第二离子型配位化合物层，所述第二离子型配位化合物层内部具有第二内部电场，且所述第二内部电场靠近所述量子点发光层一侧为正极，靠近所述电子传输层一侧为负极；和/或，

还包括形成于所述电子传输层朝向所述第二电极一侧的第三离子型配位化合物层，所述第三离子型配位化合物层内部具有第三内部电场，且所述第三内部电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述第二电极一侧为负极。

5.根据权利要求4所述的QLED显示面板，其特征在于，所述第二离子型配位化合物层和/或所述第三离子型配位化合物层的制备材料为有机金属配位化合物。

6.根据权利要求5所述的QLED显示面板，其特征在于，所述第二离子型配位化合物层和/或所述第三离子型配位化合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中：

所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、邻菲咯啉卤代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶卤代物、苯基恶二唑吡啶、苯基恶二唑吡啶卤代物、苯基吡啶、苯基吡啶卤代物、联吡啶、联吡啶卤代物或三卤甲基取代物中的一种；

所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸卤代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸卤代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物或三卤甲基取代物中的一种。