[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。所述氧化物半导体薄膜晶体管包括：衬底、设于衬底上的栅极、设于栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、设于氧化物半导体层上的阻挡层以及设于氧化物半导体层及栅极绝缘层上的源极及漏极；所述氧化物半导体层包括：沟道区以及分别位于沟道区两侧的两接触区，源极及漏极分别与两接触区接触，阻挡层位于沟道区上；所述沟道区包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条，阻挡层包括分别对应位于多个沟道条上的多个阻挡条，能够减少氧化物半导体薄膜晶体管的功耗，提升氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲状态下的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管基(TFT， ThinFilm Transistor)板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC， Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT 基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell 制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

所述薄膜晶体管基板一般包括玻璃基板及形成于玻璃基板上的薄膜晶体管阵列，现有技术中常用的薄膜晶体管包括非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管以及氧化物半导体 (Oxidesemiconductor)薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管制程简单，与非晶硅薄膜晶体管制程相容性较高，而得到了广泛应用。

随着显示技术的发展，人们对终端显示屏的要求越来越高，柔性显示器件获得了人们的喜爱和追捧，将氧化物半导体薄膜晶体管应用在柔性显示器件上存在一些困难，具体为氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲时，会受到外界应力的作用，长时间的外界应用会导致氧化物半导体薄膜晶体管的正偏压温度应力(Positive bias temperature stress，PBTS)和亚阈值摆幅(Subthreshold Swing，SS)发生变化，导致器件的稳定性降低，同时由于氧化物半导体材料中氧空位较多，电子缺陷大，导致器件的稳定性更加不足。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氧化物半导体薄膜晶体管，能够减少氧化物半导体薄膜晶体管的功耗，提升氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲状态下的稳定性。

本发明的目的还在于提供一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，能够减少氧化物半导体薄膜晶体管的功耗，提升氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲状态下的稳定性。

为实现上述目的，本发明提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括：衬底、设于所述衬底上的栅极、设于所述栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、设于所述氧化物半导体层上的阻挡层以及设于所述氧化物半导体层及栅极绝缘层上的源极及漏极；

所述氧化物半导体层包括：沟道区以及分别位于沟道区两侧的两接触区，所述源极及漏极分别与两接触区接触，所述阻挡层位于所述沟道区上；