[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

衬底，由所述衬底的上表面界定有彼此间隔的多个有源区；

隔离结构，形成于所述衬底中并使所述有源区彼此绝缘；

字线，埋置于所述衬底中并沿所述字线延伸方向平行铺设，以与所述有源区和所述隔离结构相交，相邻的两个所述字线之间形成有与所述有源区的中间区域相交的贯通的沟渠，所述沟渠在所述有源区上的部分包括由所述有源区上表面凹入的接触窗口，用以与位线交迭；以及

位线接触，形成于所述接触窗口中的所述有源区上；

其中，所述沟渠在所述隔离结构上的部分包括由所述隔离结构上表面凹入的窗口间凹槽，所述窗口间凹槽相对于所述接触窗口具有再凹入表面，低于所述沟渠内的所述有源区的表面，所述窗口间凹槽的最低点至所述沟渠内的所述有源区的表面的深度介于5.8nm～8.5nm，使所述沟渠中的多个相邻的所述位线接触不互相电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

位线，形成于所述衬底上并呈连续波浪状，所述位线接触电性连接在所述位线与所述有源区相交错的部位间；

其中，所述位线接触沿着所述位线延伸方向形成的两侧壁具有在所述字线延伸方向上侧蚀的剖切外形。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述位线接触在所述字线延伸方向上剖切的所述两侧壁的侧蚀深度之和与所述位线接触的顶部宽度的比值范围介于25％～50％。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述位线接触在所述字线延伸方向上剖切的所述两侧壁的侧蚀深度之和与所述窗口间凹槽的再凹入深度成正比例关系。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器结构，其特征在于，对应于所述窗口间凹槽的再凹入深度最大值8.5nm，所述位线接触的所述两侧壁的侧蚀深度之和最大值为所述位线接触的顶部宽度的50％。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

保护层，覆盖除所述沟渠区域以外的所述有源区和所述隔离结构的表面，所述位线迭设于所述保护层和所述位线接触上。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述沟渠通过刻蚀所述保护层在两个相邻的所述字线之间的部分而形成，所述接触窗口的深度通过刻蚀所述有源区在所述沟渠中的部分而形成，所述窗口间凹槽的深度通过刻蚀所述隔离结构在所述沟渠中的部分而形成；

其中，刻蚀所述保护层、所述有源区以及所述隔离结构的刻蚀剂包括三氟甲烷和四氟化碳，所述三氟甲烷与所述四氟化碳的比例范围介于0.5～1.6；

所述刻蚀剂对所述隔离结构和所述有源区的刻蚀选择比范围介于1.1～2.3，并且随着所述三氟甲烷与所述四氟化碳的比例增加而减小；

所述窗口间凹槽的深度随着所述三氟甲烷与所述四氟化碳的比例增加而减小。

8.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

衬底，由所述衬底的上表面界定有彼此间隔的多个有源区；

隔离结构，形成于所述衬底中并使所述有源区彼此绝缘；

字线，埋置于所述衬底中并沿所述字线延伸方向平行铺设，以与所述有源区和所述隔离结构相交，相邻的两个所述字线之间形成有与所述有源区的中间区域相交的贯通的沟渠，所述沟渠包括由所述有源区上表面凹入的接触窗口；以及

位线接触，形成于所述接触窗口中的所述有源区上；

其中，所述沟渠还包括所述隔离结构在所述有源区之间的窗口间凹槽，所述接触窗口窗口内相对于所述窗口间凹槽具有再凹入表面，使所述沟渠中的多个相邻所述位线接触不互相电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

位线，形成于所述衬底上并呈连续波浪状，所述位线接触电性连接在所述位线与所述有源区相交错的部位间；

其中，所述位线接触沿着所述位线延伸方向形成的两侧壁具有在所述字线延伸方向上垂直的剖切外形。