[发明专利]一种晶圆分离装置及方法在审
申请号: | 201810880065.8 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109148333A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 分离组件 固定装置 键合 分离装置 运动单元 输出嘴 种晶 半导体技术领域 晶圆产品 生成组件 形变 键合处 风刀 良率 损伤 应用 保证 | ||
1.一种晶圆分离装置,应用于键合有第一晶圆和第二晶圆的键合晶圆,其特征在于,包括:
一第一分离组件和一第二分离组件;
所述第一分离组件包括用于固定所述第一晶圆的第一固定装置,以及用于带动所述第一固定装置和所述第一晶圆向一第一方向进行运动的第一运动单元;
所述第二分离组件包括用于固定所述第二晶圆的第二固定装置,以及用于带动所述第二固定装置和所述第二晶圆向一第二方向进行运动的第二运动单元;
风刀生成组件,包括若干气流输出嘴,所述气流输出嘴朝向所述键合晶圆的键合处设置;
其中,所述第一方向和所述第二方向互为反向。
2.根据权利要求1所述的晶圆分离装置,其特征在于,若干所述气流输出嘴以所述键合晶圆为中心,均匀分布于所述键合晶圆的键合处的四周。
3.根据权利要求1所述的晶圆分离装置,其特征在于,所述气流输出嘴的数量为4个。
4.根据权利要求1所述的晶圆分离装置,其特征在于,所述风刀生成组件还包括一空气压缩机,所述空气压缩机与每个所述气流输出嘴连接,用于产生压缩空气输出至每个所述气流输出嘴。
5.根据权利要求1所述的晶圆分离装置,其特征在于,每个所述气流输出嘴的顶端呈长条形,宽度为0.03~0.07mm。
6.根据权利要求1所述的晶圆分离装置,其特征在于,所述第一运动单元包括用于产生动力的第一马达;以及
所述第二运动单元包括用于产生动力的第二马达。
7.根据权利要求1所述的晶圆分离方法,其特征在于,所述第一固定装置和/或所述第二固定装置为卡盘。
8.一种晶圆分离方法,其特征在于,包括:
步骤S1,提供包括一第一晶圆和一第二晶圆的一键合晶圆,且通过一第一固定装置固定所述第一晶圆,以及通过一第二固定装置固定所述第二晶圆;
步骤S2,提供一风刀生成组件,并启动所述风刀生成组件,以通过所述风刀生成组件的所述气流输出嘴在所述键合晶圆的键合处形成用于切割的风刀;
步骤S3,提供一第一运动单元和一第二运动单元,并分别启动所述第一运动单元和所述第二运动单元,以带动所述第一固定装置和所述第一晶圆向所述第一方向进行运动,以及带动所述第二固定装置和所述第二晶圆向所述第二方向进行运动;
步骤S4,持续所述步骤S3,直到所述第一晶圆和所述第二晶圆完全分离后,结束;
其中,所述第一方向和所述第二方向互为反向。
9.根据权利要求8所述的晶圆分离方法,其特征在于,所述风刀的厚度为0.03~0.07mm。
10.根据权利要求8所述的晶圆分离方法,其特征在于,所述第一固定装置和/或所述第二固定装置为卡盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造