[发明专利]一种含二苯并呋喃结构的化合物及其应用在审
| 申请号： | 201810880439.6 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108822064A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 曹辰辉;黄达;陈少海 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | C07D307/91 | 分类号： | C07D307/91;C07D405/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二苯并呋喃 有机电致发光材料 有机电致发光器件 应用 空穴传输材料 公开化合物 三重态能级 器件效率 光材料 激子 搭配 阻挡 | ||
1.一种含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有式(I)所示的通式结构：
其中，
X表示取代或未取代螺芴基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基，取代或未取代的苯基、取代或未取代的螺硅芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6各自独立地表示H、卤素、C1-12烷基、C1-12烷氧基、取代或未取代的C6-60芳基、取代或未取代的C6-60杂芳基。
2.根据权利要求1所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，所述C6-60芳基选自苯基；所述C6-60杂芳基选自吡啶基、三嗪基、吡嗪基或嘧啶基。
3.根据权利要求2所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，R1与R4相同、R2与R5相同、R3与R6相同。
4.根据权利要求3所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，R2和R5同时为取代或未取代的苯基。
5.根据权利要求4所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有式(II)所示的结构：
其中，
X表示取代或未取代螺芴基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的螺硅芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基；
R1、R3、R4、R6各自独立地表示H、卤素、C1-12烷基、C1-12烷氧基、取代或未取代的C6-60芳基、取代或未取代的C6-60杂芳基；
R7和R8同时为H、卤素、C1-6直链烷烃基、C6-24取代或未取代的芳香基。
6.根据权利要求1所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有选自如下之一的结构：
7.权利要求1-6中任一项所述的含二苯并呋喃结构的化合物在有机电致发光器件中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述含二苯并呋喃结构的化合物为所述有机电致发光器件中的空穴传输材料。
9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述含二苯并呋喃结构的化合物为所述有机电致发光器件中的主体材料。
10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述有机电致发光器件为深蓝光发光器件。
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