[发明专利]一种电流不随温度变化的电池充电电路在审

专利信息
申请号: 201810881422.2 申请日: 2018-08-05
公开(公告)号: CN109193824A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 孙殷 申请(专利权)人: 杭州展虹科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电池充电电路 电阻 电池 安全使用 充电电流 充电过程 保证
【说明书】:

发明公开了一种电流不随温度变化的电池充电电路。一种电流不随温度变化的电池充电电路包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第三NMOS管、第五PMOS管、第三电阻和电池。利用本发明可以使得在充电过程中充电电流不随温度变化,保证了电池的安全使用。

技术领域

本发明涉及集成电路技术,尤其涉及到电流不随温度变化的电池充电电路。

背景技术

现有技术的充电电流随温度会有变化,导致充电过程会使得电池受到损坏,为此,设计了一种电流不随温度变化的电池充电电路。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种电流不随温度变化的电池充电电路。

一种电流不随温度变化的电池充电电路,包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第三NMOS管、第五PMOS管、第三电阻和电池:

所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,另一端接地;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端,漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极,源极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第二NMOS管的源极,另一端接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC,漏极接所述第二电阻的一端,源极接地;所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第三电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极,另一端接所述电池的正极;所述电池的正极接所述第三电阻的一端,负极接地。

所述第一PMOS管、所述第一电阻和所述第二PMOS管构成启动电路部分,所述第二PMOS管的栅极通过所述第一电阻接地而导通,有启动电流传给由所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第二电阻和所述第三NMOS管构成产生充电流的核心部分,启动电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第二NMOS管进而使整个充电电路开始工作,再通过所述第四PMOS管和所述第三PMOS管反馈电路传给产生充电电流的核心部分;启动电路提供启动电流后,正常工作,由于所述第一PMOS管导通使得所述第二PMOS管的栅极拉高,所述第二PMOS管的漏极就不会有电流流出,使启动电路部分关闭;所述第二电阻采用呈负温度系数的多晶POLY电阻,所述第三NMOS管的沟道形成的呈正温度系数的沟道电阻,通过调节这两个温度系数可以实现零温度系数的充电电流;所述第三电阻起到对所述电池的限流作用。

附图说明

图1为本发明的一种电流不随温度变化的电池充电电路的电路图。

具体实施方式

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