[发明专利]一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法

权利要求书

1.一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其步骤如下：

(1)将衬底放入原子层沉积设备的反应腔，加热到30～400℃并保持稳定；抽真空后通入惰性气体，使腔体气压稳定在0.1～0.3Torr；

(2)通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，再等待惰性气体清洗5～30s，将未反应的金属氧化物A的前驱体与副产物气体吹离衬底表面；

(3)通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，再等待惰性气体清洗80s，将残留物完全排出反应腔体；

(4)通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，再等待惰性气体清洗5～100s，排空腔体中副产物与残留氧化气体；

(5)重复步骤(2)～(4)n次，从而在衬底上生长出n层均匀混合金属氧化物薄膜，n为正整数。

2.如权利要求1所述的一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其特征在于：使用金属氧化物A和金属氧化物B以外的金属氧化物C的前驱体重复步骤(2)～(4)，用于制备三种以上金属氧化物均匀混合的金属氧化物薄膜。

3.如权利要求1所述的一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其特征在于：金属氧化物A、金属氧化物B、金属氧化物C的前驱体为三甲基铝、二甲基铝、二乙基锌、四二甲基氨基锆、四二甲基氨基钛中的一种，金属氧化物A、金属氧化物B、金属氧化物C不能相同，且不能有二种同时为三甲基铝和二甲基铝；得到的混合金属氧化物成分为氧化铝、氧化锌、氧化锆或氧化钛。

4.如权利要求1所述的一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其特征在于：衬底为硅片、玻璃、金属、聚对苯二甲酸类塑料或聚萘二甲酸乙二醇酯。

5.如权利要求1所述的一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其特征在于：通过调整步骤(2)与步骤(3)中前驱体的通入时间，用于改变金属氧化物的混合比例。

6.如权利要求1所述的一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，其特征在于：氧化气体为水蒸气、臭氧、等离子氧或双氧水蒸气。