[发明专利]存储控制器的操作方法及储存设备的操作方法

说明书

一种被配置为控制非易失性存储设备的存储控制器的操作方法，包括：从外部接收命令；基于当前可用写缓冲器、先前可用写缓冲器以及参考值来计算延迟时间；以及基于延迟时间对命令进行处理。

相关申请的交叉引用

本公开要求于2017年9月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0120594的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本文所述的示例性实施例涉及储存设备，更具体地，涉及存储控制器的操作方法和包括该存储控制器在内的储存设备的操作方法。

背景技术

半导体存储设备被分类为在断电时丢失其中存储的数据的易失性存储设备(例如，静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM))以及即使在断电时也保留其中存储的数据的非易失性存储设备(例如，只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存设备、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、相变RAM(PRAM)和铁电RAM(FRAM))。

如今，正使用各种技术来改善基于闪存的储存设备的性能。例如，储存设备将从主机接收的写数据存储在单独的缓冲存储器中，并向主机通知写数据被完全存储。然后，储存设备将缓冲存储器中存储的写数据编程到闪存中。如上所述，储存设备通过使用各种资源(例如，缓冲存储器)来改善性能。然而，由于资源是有限的(例如，容量的限制)，因此需要各种方式来高效地使用资源，同时维持储存设备的性能。

发明内容

示例性实施例提供了能够改善性能的存储控制器的操作方法和储存设备的操作方法。

根据示例实施例的一个方面，一种被配置为控制非易失性存储设备的存储控制器的操作方法，包括：从外部设备接收命令；基于当前可用写缓冲器、先前可用写缓冲器以及参考值来计算延迟时间；以及基于延迟时间对命令进行处理。

根据示例性实施例的另一方面，一种被配置为控制非易失性存储设备的存储控制器的操作方法，包括：从外部设备接收命令；基于当前可用写缓冲器、先前可用写缓冲器和参考值来计算第一延迟时间；基于写缓冲器释放速率来计算最大延迟时间，所述写缓冲器释放速率表示每单位时间释放的写缓冲器的第一量与每单位时间分配的写缓冲器的第二量之间的差；以及基于所述延迟时间和所述最大延迟时间来对所述命令进行处理。

根据示例性实施例的另一方面，一种储存设备的操作方法包括：从外部设备接收命令；以及基于第一延迟时间和最大延迟时间来选择性地延迟处理所述命令。所述第一延迟时间是基于当前可用写缓冲器、先前可用写缓冲器和参考值来计算的，以及所述最大延迟时间是基于写缓冲器释放速率来计算的，所述写缓冲器释放速率表示每单位时间释放的写缓冲器的第一量与每单位时间分配的写缓冲器的第二量之间的差。

附图说明

通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相似的附图标记在各个附图中指代相似的部件，并且在附图中：

图1是示出了根据示例性实施例的计算系统的框图；

图2是示出了图1的存储控制器的框图；

图3是示出了图1的存储控制器的操作方法的流程图；

图4是用于描述图3的操作方法的视图；

图5是用于描述图4的存储控制器的操作方法的时序图；

图6是示出了图4的延迟计算单元的框图；

图7是用于描述根据示例性实施例的存储控制器的操作的框图；

图8是用于描述根据示例性实施例的存储控制器的操作的流程图；