[发明专利]封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板的待键合面为第一待键合面；

提供若干个芯片，所述芯片的待键合面为第二待键合面；

提供薄膜型封装材料；

在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；

在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使所述第一待键合面和所述第二待键合面相对设置，并将所述芯片置于所述基板上；

将所述芯片置于所述基板上后，将所述薄膜型封装材料置于所述若干个芯片上，采用热压合工艺，使所述基板和所述若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使所述封装材料填充于所述若干个芯片之间且覆盖所述芯片侧壁，以及所述若干个芯片和基板之间且覆盖所述若干个芯片，所述热压合工艺后的封装材料用于作为封装层；

将所述芯片置于所述基板上后，在所述热压合工艺之前，还包括：对所述基板和芯片进行预键合处理。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合或加压键合。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合，所述预键合处理的步骤包括：对所述芯片和基板中的至少一个进行第一加压处理，且在进行所述第一加压处理的同时，对所述芯片和所述基板进行第一加热处理。

4.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在所述第一加压处理的步骤中，对所述芯片背向所述第二待键合面的表面进行所述第一加压处理；

在所述第一加热处理的步骤中，对所述芯片背向所述第二待键合面的表面、以及所述基板背面进行所述第一加热处理。

5.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的步骤还包括：在所述第一加压处理和第一加热处理之前，进行第一抽真空处理，使所述预键合处理的工艺压强达到预设压强。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热压合工艺的步骤包括：

将所述封装材料置于所述若干个芯片上后，进行第二抽真空处理和第二加热处理，使所述热压合工艺的工艺压强达到预设压强，使所述热压合工艺的工艺温度达到预设温度；

在所述预设压强和预设温度下，对所述基板和封装材料进行第二加压处理至预设时间，使所述封装材料填充于所述若干个芯片和基板之间且覆盖所述芯片，并使所述基板和所述若干个芯片实现键合；

在所述预设压强和预设温度下进行所述第二加压处理后，在所述预设温度下，对所述封装材料进行热固化处理，形成所述封装层。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述键合层的步骤中，在所述第一待键合面上形成所述键合层。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热压合工艺为热压成型工艺或热压贴附工艺。

9.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，对所述基板和芯片进行预键合处理的步骤中，所述预键合处理的工艺时间为1秒至30秒，所述第一加压处理的压力为100牛顿至400牛顿，所述第一加热处理的工艺温度为150摄氏度至250摄氏度。

10.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，对所述基板和芯片进行预键合处理的步骤中，所述预设压强为5千帕至一个标准大气压。

11.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在所述热压合工艺的步骤中，所述预设压强为5千帕至15千帕，所述预设温度为120摄氏度至180摄氏度，所述第二加压处理的压力为0.1兆帕至10兆帕，所述预设时间为30秒至60秒，所述热固化处理的工艺时间为300秒至600秒。

12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装材料的厚度为40μm至200μm。