[发明专利]一种兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路及LED灯具在审
申请号: | 201810883775.6 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109068442A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 杨清华;吴宇龙 | 申请(专利权)人: | 深圳拓邦股份有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 冯小梅;郭方伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子镇流器 限制电路 泄漏电流 输入端 市电 接电 兼容 降压电路 双端 交流电 恒流输出电路 泄漏电流测试 信号采样电路 整流电路连接 输入端连接 高频电压 后级电路 整流电路 单端 输出 | ||
1.一种兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,包括:
用于接收交流电的第一输入端、第二输入端、与所述第一输入端和所述第二输入端连接的降压电路、与所述降压电路连接的整流电路、与所述整流电路连接的泄漏电流限制电路、与所述泄漏电流限制电路连接的恒流输出电路、分别与所述第二输入端和所述泄漏电流限制电路连接的信号采样电路、以及与所述泄漏电流限制电路连接的开关;
在所述交流电为电子镇流器输出的高频交流电时,所述降压电路对所述高频交流电进行降压,并输出降压信号;所述整流电路用于将所述降压信号或者低频的交流电整流为直流电;所述信号采样电路检测所述第二输入端的交流电,并在所述第二输入端的交流电为高频交流电时旁路所述泄漏电流限制电路;
在所述交流电为低频交流电时,所述泄漏电流限制电路用于检测LED驱动电路的回路电压,并在LED驱动电路的回路电压达到阈值时控制所述开关断开,使所述恒流输出电路与所述整流电路断开。
2.根据权利要求1所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述第一输入端包括第一管脚和第二管脚;
所述兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路还包括串联在所述第一管脚与所述降压电路之间的第一过流保护电路、串联在所述第二管脚与所述降压电路之间的第三过流保护电路、以及串联在所述第二输入端与所述降压电路之间的第二过流保护电路。
3.根据权利要求2所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述降压电路包括第一电容和第二电容;
所述第一电容的第一端与所述第一过流保护电路连接,所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端一并连接所述第二过流保护电路,所述第二电容的第二端与所述第三过流保护电路连接。
4.根据权利要求3所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述泄漏电流限制电路包括:限流电路和控制电路;
所述限流电路的输入端与所述整流电路的输出端连接,所述限流电路的输出端与所述控制电路的供电端连接。
5.根据权利要求4所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述限流电路包括二极管D3、电阻R5、电阻R6和电阻R9;
所述二极管D3的阳极连接所述整流电路的输出端,所述二极管D3的阴极连接所述电阻R5的第一端,所述电阻R5的第二端连接所述电阻R6的第一端,所述电阻R6的第二端连接所述电阻R9的第一端,所述电阻R9的第二端连接所述控制电路的供电端。
6.根据权利要求5所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述控制电路包括控制芯片U1、电容C5、电容C7、电阻R7、电阻R8、电容C6;
所述开关包括MOS管Q,所述MOS管Q内置于所述控制芯片U1内;
所述控制芯片U1包括供电电路、逻辑控制电路和驱动电路,所述供电电路的输入端连接所述控制芯片U1的第八引脚,所述供电电路的输出端连接所述逻辑控制电路,所述逻辑控制电路连接所述驱动电路的输入端,所述驱动电路的输出端连接所述MOS管Q的栅极,所述MOS管Q的漏极连接所述控制芯片U1的第三引脚和第四引脚,所述MOS管Q的源极和所述逻辑控制电路一并连接所述控制芯片U1的第五引脚;
所述控制芯片U1的第八引脚作为所述控制电路的供电端连接所述电阻R9的第二端,所述控制芯片U1的第八引脚还通过所述电容C5连接第一电源地;
所述控制芯片U1的第二引脚连接第一电源地,所述控制芯片U1的第六引脚通过所述电容C6连接第一电源地,所述控制芯片U1的第五引脚通过所述电阻R8连接第一电源地,所述电容C7与所述电阻R7并联后再并联在所述电阻R8的两端;所述控制芯片U1的第三引脚和第四引脚短接并连接第二电源地。
7.根据权利要求1所述的兼容电子镇流器和市电的LED驱动电路,其特征在于,所述信号采样电路包括:滤波整流电路和MOS管Q1;
所述滤波整流电路的输入端与所述第二输入端连接,所述滤波整流电路的输出端与所述MOS管Q1的栅极连接,所述MOS管Q1的源极连接第一电源地,所述MOS管Q1的漏极连接所述泄漏电流限制电路。
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