[发明专利]一种光诱导浸润的微流控芯片制备方法及功能化方法

权利要求书

1.一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：采用机械驱动或非机械驱动的方法将需要进行物理、化学或生物实验的流体泵入微流控芯片内；所述机械驱动的方法包括压力差、流体自身重力或离心力；所述非机械驱动方法包括电、磁或热；

步骤2：当采用无机材料修饰表面的芯片时，在120℃至180℃范围内对微流控芯片加热或在黑暗环境中放置3至7天使其整体恢复疏水特性；

当采用有机材料修饰表面的芯片时，用波长为400纳米至700纳米的可见光照射使其整体恢复疏水特性，加热时间为30秒至1小时；可见光照射时间为30秒至30分钟；

步骤3：将掩膜置于完整芯片与紫外光源之间，进行曝光，得到功能化的光诱导浸润的微流控芯片；

步骤4：重复步骤1；

所述光诱导浸润的微流控芯片的制备方法具体步骤如下：

步骤a：在原材料上加工构成微柱阵列结构，构成微结构芯片；所述微柱阵列结构为多个同一微柱均匀分布构成阵列结构；所述微柱阵列芯片的孔隙率为20％～80％；相邻微阵列单元的间隙空间深宽比为：1:5，1:1，5:1；

步骤b：裁剪与原材料相同大小的无结构平整芯片，在芯片上设有入口和出口构成开孔芯片；

步骤c：在微结构芯片的微柱阵列结构的面上修饰光诱导浸润涂层，在开孔芯片的一面上修饰光诱导浸润涂层；所述光诱导浸润涂层采用无机或有机涂层；

步骤d：将两块芯片的光诱导材料一侧相接触并封接为封闭的完整芯片；

步骤e：采用与前一次不同图案的掩膜，将掩膜置于完整芯片与紫外光源之间，进行曝光，得到光诱导浸润的微流控芯片；曝光过程中：紫外光源波长为400纳米以下，曝光时间5秒至10分钟。

2.根据权利要求1所述一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于：所述原材料包括但不限于石英、玻璃、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、热固性聚酯、聚苯乙烯、聚乙烯或聚丙烯。

3.根据权利要求1所述一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于：所述微柱包括但不限于圆柱形，长方形，三角形，翼形，流线型，菱形或I形。

4.根据权利要求1所述一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于：所述无机涂层包括但不限于氧化锌或二氧化钛宽带隙氧化物。

5.根据权利要求1所述一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于：所述有机涂层包括但不限于偶氮苯类或螺吡喃类涂层。

6.根据权利要求1所述一种光诱导浸润的微流控芯片的功能化方法，其特征在于：所述掩膜包括但不限于直线型，十字型，T型，Y型，圣诞树型，H型；其长度范围500微米至10厘米，宽度范围1微米至1毫米。