[发明专利]半导体封装有效
申请号: | 201810885150.3 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109524349B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 松本学;村上克也;谷本亮 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H10B41/00;H10B43/00;H10B63/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,其特征在于具备:
衬底;
多个半导体存储器芯片,在所述衬底的厚度方向上积层;
控制器芯片,配置在所述衬底与所述多个半导体存储器芯片之间、或者相对于所述多个半导体存储器芯片而与所述衬底相反的侧;以及
密封树脂部,将所述多个半导体存储器芯片与所述控制器芯片密封;且
所述多个半导体存储器芯片具有至少1个贯通电极,所述至少1个贯通电极在所述衬底的厚度方向贯通所述多个半导体存储器芯片中包含的1个以上的半导体存储器芯片而连接于所述控制器芯片;
所述控制器芯片具有第1区域及与所述第1区域相比每单位面积的发热量较大的第2区域,
所述至少1个贯通电极具有连接于所述第1区域的第1群的多个贯通电极及连接于所述第2区域的第2群的多个贯通电极,
所述第2群的多个贯通电极的配置密度高于所述第1群的多个贯通电极的配置密度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于:
所述多个半导体存储器芯片包含第1半导体存储器芯片,
所述至少1个贯通电极包含电连接于所述第1半导体存储器芯片的第1贯通电极,
所述控制器芯片经由所述第1贯通电极而与所述第1半导体存储器芯片进行通信。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于:
还具备电子零件,所述电子零件安装在所述衬底,由所述密封树脂部密封,并且电连接于所述控制器芯片,
在与所述衬底的厚度方向大致正交的方向上,所述电子零件与所述多个半导体存储器芯片中包含的至少1个半导体存储器芯片之间的最短距离小于所述电子零件与所述衬底的边缘之间的最短距离。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于:
所述控制器芯片配置在所述衬底与所述多个半导体存储器芯片之间,且倒装在所述衬底。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于:
所述第2群的多个贯通电极中的一个贯通电极电连接于所述控制器芯片的接地端子。
6.根据权利要求5所述的半导体封装,其特征在于:
还具备散热板,所述散热板配置在相对于所述多个半导体存储器芯片而与所述控制器芯片相反的侧,
所述第2群的贯通电极中的一个贯通所述多个半导体存储器芯片而连接于所述散热板。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其特征在于:
所述散热板的至少一部分露出于所述密封树脂部的外部。
8.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于:
所述控制器芯片包含处理器,所述处理器通过执行程序来控制对所述多个半导体存储器芯片中包含的至少1个半导体存储器芯片的数据写入,
所述至少1个贯通电极包含连接于所述控制器芯片中在所述衬底的厚度方向上与所述处理器重叠的区域的贯通电极。
9.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于:
所述控制器芯片包含电路部,所述电路部控制对所述多个半导体存储器芯片中包含的至少1个半导体存储器芯片的数据的写入,
所述至少1个贯通电极包含连接于所述控制器芯片中在所述衬底的厚度方向上与所述电路部重叠的区域的贯通电极。
10.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于:
所述控制器芯片具有测试端子,
所述至少1个贯通电极包含连接于所述控制器芯片的测试端子的贯通电极。
11.根据权利要求10所述的半导体封装,其特征在于:
还具备设置在所述密封树脂部的表面的垫,
连接于所述控制器芯片的测试端子的所述贯通电极贯通所述多个半导体存储器芯片而电连接于所述垫。
12.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于:
还具备设置在所述密封树脂部的表面的垫,
所述至少1个贯通电极包含贯通所述多个半导体存储器芯片而电连接于所述垫的贯通电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造