[发明专利]导电性高分子分散液、导电性薄膜及其制造方法、以及抗静电性容器及其制造方法在审
申请号: | 201810885353.2 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109385189A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 松林总 | 申请(专利权)人: | 信越聚合物株式会社 |
主分类号: | C09D165/00 | 分类号: | C09D165/00;C09D125/18;C09D131/02;C09D167/00;C09D5/24;C08J7/04;H01B1/20;H01B5/14;H01B13/00;C08L23/12 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性高分子 分散液 共轭导电性高分子 导电性复合体 叔碳酸乙烯酯 导电性薄膜 分散介质 聚阴离子 抗静电性 聚合物 制造 | ||
1.一种导电性高分子分散液,其含有:
导电性复合体,其包含π共轭导电性高分子以及聚阴离子;
叔碳酸乙烯酯聚合物;及
分散介质。
2.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述叔碳酸乙烯酯聚合物包含来源于叔碳酸乙烯酯的单体单元、以及来源于乙酸乙烯酯的单体单元。
3.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述叔碳酸乙烯酯聚合物的依照JIS Z 8802:2011测定的pH为4~9。
4.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述分散介质含有水。
5.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述π共轭导电性高分子为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
6.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述聚阴离子为聚苯乙烯磺酸。
7.根据权利要求1所述的导电性高分子分散液,其中,
所述导电性高分子分散液还含有粘合剂成分。
8.根据权利要求7所述的导电性高分子分散液,其中,
所述粘合剂成分为聚酯树脂。
9.根据权利要求7所述的导电性高分子分散液,其中,
所述粘合剂成分为含有缩水甘油基的丙烯酸系树脂。
10.一种导电性薄膜,其具备:
薄膜基材;及
在所述薄膜基材的表面上由权利要求1所述的导电性高分子分散液形成的导电层。
11.根据权利要求10所述的导电性薄膜,其中,
所述薄膜基材包含聚烯烃系树脂。
12.根据权利要求11所述的导电性薄膜,其中,
所述聚烯烃系树脂为聚丙烯树脂。
13.一种导电性薄膜的制造方法,其包括在薄膜基材的至少一侧的表面上涂敷权利要求1所述的导电性高分子分散液并使之干燥形成导电层的工序。
14.根据权利要求13所述的导电性薄膜的制造方法,其中,
所述薄膜基材包含聚烯烃系树脂。
15.根据权利要求14所述的导电性薄膜的制造方法,其中,
所述聚烯烃系树脂为聚丙烯树脂。
16.根据权利要求13所述的导电性薄膜的制造方法,其中,
所述薄膜基材在表面上具有亲水基团。
17.根据权利要求16所述的导电性薄膜的制造方法,其中,
所述薄膜基材通过对表面进行电晕放电处理而得到。
18.一种抗静电性容器,其包含使根据权利要求10~12中任一项所述的导电性薄膜成型而得到的成型体。
19.一种抗静电性容器的制造方法,其具有:
根据权利要求13~17中任一项所述的导电性薄膜的制造方法制造导电性薄膜的工序;及
使所述导电性薄膜成型的工序。
20.根据权利要求19所述的抗静电性容器的制造方法,其中,
所述使导电性薄膜成型的工序为使所述导电性薄膜真空成型的工序。
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