[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

多个晶体管，形成在一基材上方；

一第一金属化层，位于所述多个晶体管上方，该第一金属化层包含设置在一第一介电层中的多个第一金属特征，所述多个第一金属特征具有沿着垂直于该基材的一上表面的一第一方向的一第一厚度；

一第二金属化层，位于该第一金属化层上方，该第二金属化层包含设置在一第二介电层中的多个第二金属特征，所述多个第二金属特征具有沿着该第一方向的一第二厚度；以及

一第三金属化层，位于该第二金属化层上方，该第三金属化层包含设置在一第三介电层中的多个第三金属特征，所述多个第三金属特征具有沿着该第一方向的一第三厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度和该第三厚度，所述多个第二金属特征纵向排列并实质垂直于所述多个第一金属特征，而所述多个第三金属特征纵向排列并实质平行于所述多个第一金属特征。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二厚度与所述第一厚度的一比率在0.5至0.95的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中一些所述多个第一金属特征与所述多个第三金属特征配置用于在该半导体元件中绕线连接电源线，而所述多个第二金属特征并无电源线。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述多个晶体管包含沿着一第二方向纵向排列的多个栅极堆叠，所述多个第二金属特征沿着平行于所述第二方向的一方向纵向排列。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，其中所述多个栅极堆叠以一第一间距彼此间隔，而所述多个第二金属特征以小于该第一间距的一第二间距彼此间隔。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，其中该第二间距和该第一间距的比为2：3或为1：2。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

多个接触特征，位于所述多个晶体管的多个源极/漏极特征上方；

多个第一通孔特征，和所述多个接触特征接触，其中所述多个第一金属特征直接接触所述多个第一通孔特征；

多个第二通孔特征，和所述多个第一金属特征接触，其中所述多个第二金属特征直接接触所述多个第二通孔特征；以及

多个第三通孔特征，和所述多个第二金属特征接触，其中所述多个第三金属特征直接接触所述多个第三通孔特征。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，其中所述多个第一通孔特征包含钨(W)，钨(W)与围绕所述多个第一通孔特征的一介电层直接接触。

9.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中该第二厚度和该第一厚度的该比率在0.8至0.9之间。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一厚度和该第三厚度为相同的。