[发明专利]一种基于电致伸缩效应的电场传感器

权利要求书

1.一种基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：它包括由电致伸缩陶瓷块外壳(1)，电致伸缩陶瓷块外壳(1)内设有槽体，在槽体中设有应变片(2)，应变片(2)包括应变片基片(5)，应变片基片(5)上设有栅体结构(6)，栅体结构(6)通过端点(7)与连接导线(8)的一端连接，连接导线(8)的另一端与电桥电路(3)连接，应变片(2)通过粘贴剂(4)贴设在电致伸缩陶瓷块外壳(1)内槽体壁上。

2.根据权利要求1所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于，在制作所述电场传感器时，采用以下步骤：

1)把应变片(2)通过粘贴剂(4)贴在电致伸缩陶瓷块外壳(1)内部的槽体壁上，确保黏贴的牢固性以及不会影响到电致伸缩陶瓷块外壳(1)发生形变时应变片(2)形变的精确度；

2)将连接导线(8)焊接在端点(7)上；

3)对整体用高分子聚合物材料进行封装。

3.根据权利要求1所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于，所述电场传感器在工作时，采用以下步骤：

1)当电致伸缩陶瓷块外壳(1)受到外部电场时，电致伸缩陶瓷块外壳(1)会发生伸缩型变；

2)当电致伸缩陶瓷块发生型变时，粘贴在电致伸缩陶瓷块外壳(1)槽体中的应变片(2)中的栅体结构(6)会随着电致伸缩陶瓷块外壳(1)一起发生形变；

3)当栅体结构(6)发生型变时，应变片(2)的阻值发生改变，此时电桥电路(3)两端电压不再相等，出现电压差；

4)通过对输出的电压差的测量便能实现对电场的测量。

4.根据权利要求1至3其中至一所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述电致伸缩陶瓷块外壳(1)为长方体结构。

5.根据权利要求1至3所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述电致伸缩陶瓷块外壳(1)由高分子聚合材料制成。

6.根据权利要求1至3所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述应变片(2)采用了丝绕式应变片，中间部分由电阻丝构成栅体结构(6)且呈折叠形状。

7.根据权利要求1至3所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述应变片基片(5)为环氧树脂薄膜。

8.根据权利要求6所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述栅体结构(6)采用康铜箔制成。

9.根据权利要求1至3其中之一所述的基于电致伸缩效应的电场传感器，其特征在于：所述导线(8)采用四芯屏蔽线。