[发明专利]一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810886567.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109148891A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵伟;李素丽;唐伟超;徐延铭;李俊义 | 申请（专利权）人： | 珠海光宇电池有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/80;H01M4/38;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519180 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米多孔铜 硅负极 纳米微孔 集流体 制备 铜合金箔 预处理 化学气相沉积 铜集流体 循环性能 负极片 硅沉积 非铜 沉积 去除 充电 电池 膨胀 | ||
1.一种纳米多孔铜-硅负极片，包括：集流体基体，其特征在于，所述集流体基体上具有若干纳米微孔，所述纳米微孔内沉积有硅。
2.如权利要求1所述的纳米多孔铜-硅负极片，其特征在于：所述纳米微孔的孔径为5nm～1000nm。
3.如权利要求1所述的纳米多孔铜-硅负极片，其特征在于：所述集流体基体的厚度为5μm～100μm。
4.如权利要求1所述的纳米多孔铜-硅负极片，其特征在于：所述集流体基体为二元铜合金箔或三元铜合金箔经去除非铜成分的预处理后制得。
5.如权利要求1或2或3或4所述的纳米多孔铜-硅负极片，其特征在于：所述集流体基体为铜铝合金箔、铜锰合金箔、铜镍合金箔、铜钛合金箔、铜锆合金箔、铜镁合金箔、铜锌合金箔、铜锡合金箔、铜锌铝合金箔、铜铝镍合金箔、铜铝锡合金箔中的一种经去除非铜成分的预处理后制得。
6.如权利要求1或2或3或4所述的纳米多孔铜-硅负极片，其特征在于：所述集流体基体中铜的质量百分比为10～90％。
7.如权利要求1至6任一项的纳米多孔铜-硅负极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将铜合金箔进行预处理，去除铜合金箔中的非铜成分，得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体；
将纳米微孔铜集流体以化学气相沉积的方法进行硅沉积，得到纳米多孔铜-硅负极片。
8.如权利要求7所述的纳米多孔铜-硅负极片的制备方法，其特征在于：采用化学腐蚀法或电化学腐蚀法或高温真空处理法对铜合金箔进行预处理。
9.如权利要求7或8所述的纳米多孔铜-硅负极片的制备方法，其特征在于：沉积硅时，将纳米微孔铜集流体放入化学气相沉积炉中，在0.01～1000Pa压强、200～800℃下，持续通入含硅前驱体气体进行硅沉积，沉积结束后，将硅前驱体气体切换至氮气或氩气，直至炉子冷却至室温。
10.如权利要求9所述的纳米多孔铜-硅负极片的制备方法，其特征在于：所述硅前驱体气体是SiH4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiF4中的一种或几种。
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