[发明专利]磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置

说明书

本发明实施例提供了磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置。该磁控溅射设备包括：控制器，依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；分子泵室内靠近缓冲室一侧设置有第一位置传感器，第一位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第一感应信号；分子泵室内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器，第二位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；控制器分别与第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。通过调整第一传送带的运行速度，可以缩小靶室内传输的载板之间的距离，以减小溅射到真空腔室底部的靶材数量。

技术领域

本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置。

背景技术

磁控溅射设备可以制备各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等纳米级的单层及多层功能膜。它的特点是：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料、以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质，尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜，因此，磁控溅射镀膜是目前常用的一种镀膜方法。目前的磁控溅射设备中载板与载板之间的距离较大，导致大量靶材材料不会溅射到载板上，而是溅射到磁控溅射设备底部(例如：真空腔室底部)，从而造成靶材材料的利用率较低。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本发明实施例提供了磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种磁控溅射设备，所述磁控溅射设备包括：

控制器，依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；

所述缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；

所述分子泵室内靠近所述缓冲室一侧设置有第一位置传感器，所述第一位置传感器用于在感应到所述载板时向所述控制器发送第一感应信号；

所述分子泵室内靠近所述靶室的一侧设置有第二位置传感器，所述第二位置传感器用于在感应到所述载板时向所述控制器发送第二感应信号；

所述控制器分别与所述第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据所述第一感应信号和所述第二感应信号来调整所述第一传送带的运行速度。

本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：该磁控溅射设备包括：控制器、依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；分子泵室内靠近缓冲室一侧设置有第一位置传感器，第一位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第一感应信号；分子泵室内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器，第二位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；控制器分别与第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。通过调整第一传送带的运行速度，使得前后载板之间的距离是可控的，通过选择合适的第一传送带的运行速度，便可以达到缩小在靶室内传输的两个载板之间距离的目的，从而有效减小溅射到真空腔室底部的靶材数量，提升靶材材料的利用率，以节约靶材成本。

在一个实施例中，所述分子泵室内靠近所述靶室一侧还设置第三位置传感器，所述第三位置传感器用于在感应到载板时向所述控制器发送第三感应信号；

所述控制器还与所述第三位置传感器连接，用于当检测未同时接收到所述第二感应信号和所述第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。

在一个实施例中，所述第一位置传感器、所述第二位置传感器和所述第三位置传感器均包括激光传感器。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种载板的传输控制方法，所述方法应用于对上述第一方面任一项所述的磁控溅射设备的控制，所述方法包括：