[发明专利]一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法有效
| 申请号： | 201810886729.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109037112B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 潘勇;代囟;彭春林;王长春;张财 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 杨俊达 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 se 电池 刻蚀 使用 无机 方法 | ||
1.一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；
其中，第一步：扩散温度设置为730℃-780℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为600s；
第二步：扩散温度设置为680℃-730℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为300s；
S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；
其中，背面磷硅玻璃槽中的配液配比为HF：DI水＝1:9，带速为1.2-2.5m/min；
S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗；
其中，碱刻蚀槽中的配液配比为KOH：添加剂：DI水＝1:2.5:80，刻蚀温度设置为70℃-75℃，时间为170s-230s；
第一道酸洗槽中的配液配比为HCL：H2O2:DI水＝1:0.67:16，酸洗温度设置为50℃-60℃，时间为130s-180s；
第二道酸洗槽中的配液配比为HF:DI水＝1:37，酸洗温度设置为20℃-30℃，时间为80s-120s。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于：S3中碱刻蚀槽中的KOH可以采用NaOH替换。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于：S3中碱刻蚀槽中的添加剂为异丙醇、硅酸钠、少量表面活性剂以及水的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于：对经S3后的SE硅片进行水洗以及烘干后下料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
