[发明专利]显示面板、显示屏及显示终端在审
申请号: | 201810887672.7 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN110767678A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 楼均辉;安乐平;宋艳芹 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司;昆山维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
代理公司: | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构膜层 基板 投影 显示面板 重叠区域 显示终端 衍射效应 依次层叠 显示屏 平行 弱化 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;以及
形成于所述基板上依次层叠的多个结构膜层,所述多个结构膜层在所述基板上的投影具有重叠区域;所述多个结构膜层包括第一结构膜层和第二结构膜层;其中,第一结构膜层在基板上的投影和第二结构膜层在基板上的投影具有所述重叠区域,所述第二结构膜层在基板上的投影被所述第一结构膜层在基板上的投影完全覆盖,所述第一结构膜层的投影的边缘和所述第二结构膜层的投影的边缘互不平行。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个结构膜层包括:
形成于所述基板上的第一电极层;
形成于所述第一电极层上的像素定义层,所述像素定义层上具有多个像素开口,所述像素开口内形成有发光结构层;
其中,所述第一结构膜层为所述第一电极层;所述第二结构膜层为所述发光结构层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为AMOLED显示面板,所述第一电极层包括多个相互独立的第一电极;每个第一电极对应一个发光结构层;所述第一电极在所述基板上的投影的中心点与所述发光结构层在所述基板上的投影的中心点和/或中轴线相互错开。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极在所述基板上的投影与所述发光结构层在所述基板上的投影具有不同的形状。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述发光结构层在所述基板上的投影为圆形、椭圆形或者哑铃形。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为AMOLED显示面板;所述结构膜层还包括形成于所述像素定义层上的支撑柱;所述第一结构膜层为支撑柱;所述第二结构膜层为所述像素定义层。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为PMOLED显示面板,所述第一电极层包括多个波浪形的第一电极;多个所述第一电极沿相同方向并行延伸,且相邻第一电极间具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或者间隔性变化。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层上的各像素开口位于所述第一电极上相邻两个波谷之间的区域上方;在所述第一电极的延伸方向上,相邻两个波峰或者相邻两个波谷的幅值不同;
所述像素开口在所述基板上的投影为圆形、椭圆形或者哑铃形;和/或
在所述第一电极的延伸方向上,相邻两个波峰或者相邻两个波谷的幅值相同;所述像素定义层上相邻的两个像素开口在所述基板上的投影具有不同的形状。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为PMOLED显示面板;所述结构膜层还包括形成于所述像素定义层上的隔离柱;所述第一结构膜层为所述隔离柱;所述第二结构膜层为所述像素定义层。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各结构膜层材料的透光率均大于90%;和/或
所述显示面板的导电走线的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。
11.一种显示屏,其特征在于,具有至少一个显示区;所述至少一个显示区包括第一显示区,所述第一显示区下方可设置感光器件;
其中,在所述第一显示区设置有如权利要求1~10中任意一项所述的显示面板,所述至少一个显示区中各显示区均用于显示动态或静态画面。
12.如权利要求11所述的显示屏,其特征在于,所述至少一个显示区还包括第二显示区;在所述第一显示区设置的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板,在所述第二显示区设置的显示面板为AMOLED显示面板。
13.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求11或12所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述器件区位于所述第一显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述第一显示区进行光线采集的感光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的