[发明专利]一种微纳结构在光纤端面的转印方法有效
| 申请号： | 201810888009.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108957624B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 赵复生;李静婷;赵俊洋 | 申请（专利权）人： | 纤瑟(天津)新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G03F7/34 |
| 代理公司： | 北京红福盈知识产权代理事务所(普通合伙) 11525 | 代理人： | 陈月福 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区经济技术开发区信环西路19号泰达*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 光纤 端面 方法 | ||
1.一种微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于包括以下步骤：
提供一硬质基底，并且在所述硬质基底上形成一用于形成微纳结构的印制模型；
在所述硬质基底形成有印制模型的一侧涂覆一层形成层，所述形成层为PDMS层；
在所述形成层远离所述硬质基底的一侧与多根光纤的光纤端面进行固定连接；
对所述硬质基底以及所述硬质基底上的形成层进行切割整形；
将所述硬质基底从所述形成层上分离。
2.根据权利要求1所述的微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于：形成所述PDMS层包括：
液态PDMS涂覆；
除去所述PDMS层中的气体；
PDMS层固化；
重复PDMS层涂覆-气体去除-固化的过程。
3.根据权利要求1所述的微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于：在所述硬质基底上形成所述形成层之前还包括印制模型处理过程，即对所述硬质基底的印制模型进行处理，形成防粘层。
4.根据权利要求3所述的微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于：所述硬质基底为硅基底。
5.根据权利要求4所述的微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于：所述防粘层通过硅烷处理工艺形成。
6.根据权利要求1所述的微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于：所述多根光纤通过等离子工艺与所述形成层远离所述硬质基底的一侧进行固定连接；
用等离子气体对所述光纤的端面以及所述形成层远离所述硬质基底的一侧进行活化处理，然后使所述光纤的端面以及所述形成层远离所述硬质基底的一侧进行粘合。
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