[发明专利]一种LED显示屏及其制作方法

说明书

本发明公开一种LED显示屏及其制作方法，其中，包括基板及设置在基板上的若干LED结构单元，所述LED结构单元包括：制备在基板上的TFT结构、制备在基板上的LED晶粒以及填充在TFT结构与LED晶粒之间的第一绝缘层，所述TFT结构与电源正极相接，所述LED晶粒的正极通过第一导线与TFT结构相接，所述LED晶粒的负极与电源负极相接。本发明解决了现有技术在制作过程mini LED或micro LED时存在LED巨量转移及粘接对位难的问题。

技术领域

本发明涉及LED显示屏技术领域，尤其涉及一种LED显示屏及其制作方法。

背景技术

LED显示屏是目前最具有应用前景的显示屏，尤其是mini LED或micro LED显示屏，为多量LED（R、G、B）阵列组成，具有高亮度、高对比度、超高解析度与色彩饱和度，每个LED都能独立驱动，还具有省电、反应速度快等优点。同时，LED显示屏不需要液晶模组要用过背光源，能减少厚度。但是，目前mini LED或micro LED存在LED巨量转移及粘接对位难的问题，而且需要进行额外的封装工序。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LED显示屏及其制作方法，旨在解决现有技术在制作过程mini LED或micro LED时存在LED巨量转移及粘接对位难的问题。

本发明的技术方案如下：

一种LED显示屏，其中，包括基板及设置在基板上的若干LED结构单元，所述LED结构单元包括：制备在基板上的TFT结构、制备在基板上的LED晶粒以及填充在TFT结构与LED晶粒之间的第一绝缘层，所述TFT结构与电源正极相接，所述LED晶粒的正极通过第一导线与TFT结构相接，所述LED晶粒的负极与电源负极相接。

所述的LED显示屏，其中，所述TFT结构包括沉积在基板上的栅极、沉积在栅极上的第二绝缘层、沉积在所述第二绝缘层上的TFT半导体有源层、间隔沉积在TFT半导体有源层的源极与漏极，所述源极与漏极之间填充有第三绝缘层，所述栅极通过与高电平的开合来控制源极与漏极导通或断开，所述漏极与LED晶粒的正极通过第一导线连通，所述源极与电源正极相接。

所述的LED显示屏，其中，所述TFT半导体有源层包括沉积在第二绝缘层上的有源层、间隔沉积在有源层上的源极接触部与漏极接触部，所述有源层为非晶硅半导体层，所述源极接触部与漏极接触部均为含磷非晶硅半导体层，所述源极沉积在源极接触部上，所述漏沉积在漏极接触部上。

所述的LED显示屏，其中，所述LED晶粒包括沉积在基板上的N型半导体层、间隔沉积在N型半导体层上的P型半导体层与LED晶粒负极、以及沉积在P型半导体层上的LED晶粒正极，所述LED晶粒负极与LED晶粒正极及P型半导体层之间填充有第四绝缘层。

所述的LED显示屏，其中，所述LED晶粒为红光LED晶粒、绿光LED晶粒或蓝光LED晶粒。

所述的LED显示屏，其中，LED结构单元还包括制备在基板上并用于与电源负极相接的负极接触部，所述负极接触部与LED晶粒填充有第五绝缘层，负极接触部通过第二导线与LED晶粒的负极连通。

所述的LED显示屏，其中，所述第一绝缘层的材料为氮化硅。

一种LED显示屏的制作方法，其中，包括步骤：

提供基板，在所述基板上间隔制作TFT结构及LED晶粒，并在TFT结构及LED晶粒之间填充第一绝缘层，再在第一绝缘层上制作连通TFT结构与LED晶粒的第一导线。

所述的LED显示屏的制作方法，其中，制作TFT结构的步骤具体包括：