[发明专利]垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法

说明书

本发明提供了一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，包括如下步骤：准备玻璃基片；在玻璃基片表面镀敷MnO层；在MnO层上镀敷第一MnGa层；在第一MnGa层上镀敷第一Pt层；在第一Pt层上镀敷第一FePt层；在第一FePt层上镀敷第二MnGa层；在第二MnGa层上镀敷FeCo层；在FeCo层上镀敷第二FePt层；以及在第二FePt层上镀敷Cr层。本发明的磁记录薄膜对于制备工艺要求不严格。同时，本发明的磁记录薄膜的矫顽力适当的大，使得本发明的材料能够切实抵抗外界干扰。此外，本发明的剩磁较大，矩形比较高，使得本发明的磁记录薄膜有望成为一种性能优良的磁记录材料。

技术领域

本发明属于磁性材料技术领域，涉及一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法。

背景技术

随着社会的不断发展进步，人们对大容量信息存储器的需求急剧增加。大容量存储技术在信息处理、传递和保存中占据相当重要的地位。以硬盘技术为代表的磁性信息存储技术以其存储信息具有密度高、容量大、速度快以及价格较低的优势在信息存储领域中占有举足轻重的位置。特别是90年代以来，磁盘记录的面密度不断的以指数式提升，其价格也成倍下跌，为全球IT产业的迅速膨胀和发展以及互联网在全世界范围内的普及作出了不可磨灭的贡献。而且随着技术的不断进步，磁记录技术除了在计算机中的应用之外，还广泛的应用于广播、电视、教育、医学、军事、空间技术、科学研究和人们的日常生活中。

为了提高存储介质的存储效率，目前现有技术提出了很多新型存储介质，近年来发展起来的垂直磁各项异性磁记录材料就是一种典型的新型存储介质。现有技术已经开发了多种体系的垂直磁各项异性磁记录材料，其中一种材料是MnGa体系，与基于硬磁体系的垂直磁各项异性磁记录材料相比，该体系的垂直磁各项异性磁记录材料磁性更“软”，更适宜制造小型化的存储器件。但是目前现有技术中生产该类磁记录材料的方法仍然存在许多问题。发明人发现，目前现有技术中的MnGa体系薄膜的制备方法对于MnGa层的厚度要求过于严格，一般偏差3-4nm就可能导致性能成倍的退化。同时，由于MnGa系薄膜磁性太“软”，薄膜矫顽力太小，无法抵抗外界微磁场的干扰，不能保证磁记录的稳定性，同时矩形比太小，导致读取信息时需要使用高分贝的放大器，这无疑提高了整体磁存储结构的成本。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，从而克服现有技术的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法，包括如下步骤：准备表面清洁的玻璃基片；利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法，在玻璃基片表面镀敷MnO层，其中，MnO层的厚度为10-15nm；利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法，在MnO层上镀敷第一MnGa层，其中，第一MnGa层的厚度为15-25nm；利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一MnGa层上镀敷第一Pt层，其中，第一Pt层的厚度为10-15nm；利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一Pt层上镀敷第一FePt层，其中，第一FePt层的厚度为20-30nm；利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法，在第一FePt层上镀敷第二MnGa层，其中，第二MnGa层的厚度为25-45nm；利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二MnGa层上镀敷FeCo层，其中，FeCo层厚度为10-20nm；利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法，在FeCo层上镀敷第二FePt层，其中，第二FePt层厚度为15-25nm；以及利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法，在第二FePt层上镀敷Cr层，其中，Cr层厚度为10-20nm。