[发明专利]低辐射节能玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低辐射节能玻璃，其特征在于：所述低辐射节能玻璃由下至上依次包括：玻璃基片层、阻挡层、第一过渡层、第一复合金属层、第二过渡层、第二复合金属层以及耐磨层，其中，所述第一复合金属层由下至上依次包括第一金属Ag层以及CuPd合金层，所述第二复合金属层由下至上依次包括第二金属Ag层以及金属Au层，并且其中，所述第一金属Ag层的厚度为4-7nm，所述CuPd合金层的厚度为3-6nm，所述第二金属Ag层的厚度为3-5nm，所述金属Au层的厚度为4-7nm。

2.如权利要求1所述的低辐射节能玻璃，其特征在于：其中，所述阻挡层是氮化硅层，所述阻挡层厚度为10-20nm；所述耐磨层是氮化硅层，所述耐磨层厚度为15-30nm。

3.如权利要求1所述的低辐射节能玻璃，其特征在于：其中，所述第一过渡层是金属CuO_x层，所述第一过渡层的厚度为3-6nm。

4.如权利要求1所述的低辐射节能玻璃，其特征在于：其中，所述第二过渡层是金属AgO_x层，所述第二过渡层的厚度为2-4nm。

5.一种低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：所述低辐射节能玻璃的制备方法包括如下步骤：

提供清洁的玻璃基片；

在所述玻璃基片上沉积第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上沉积第一过渡层；

在所述第一过渡层上沉积第一金属Ag层；

在所述第一金属Ag层上沉积CuPd合金层；

在所述CuPd合金层上沉积第二过渡层；

在所述第二过渡层上沉积第二金属Ag层；

在所述第二金属Ag层上沉积金属Au层；以及

在所述金属Au层上沉积耐磨层；

其中，所述第一金属Ag层的厚度为4-7nm，所述CuPd合金层的厚度为3-6nm，所述第二金属Ag层的厚度为3-5nm，所述金属Au层的厚度为4-7nm。

6.如权利要求5所述的低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：所述第一过渡层是金属CuO_x层，所述第一过渡层的厚度为3-6nm，在所述第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为：采用射频磁控溅射方法，溅射靶材为Cu靶，溅射气氛为氧气，氧气流量40-60sccm，溅射电压为200-400V，溅射功率为200-400W。

7.如权利要求5所述的低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：在所述第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为：采用直流磁控溅射方法，溅射靶材为Ag靶，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射电压为100-200V，溅射功率为100-200W。

8.如权利要求5所述的低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：在所述第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为：采用直流磁控溅射方法，溅射靶材为CuPd合金靶，所述CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射电压为100-200V，溅射功率为100-200W。

9.如权利要求5所述的低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：所述第二过渡层是金属AgO_x层，所述第二过渡层的厚度为2-4nm，在所述CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为：采用射频磁控溅射方法，溅射靶材为Ag靶，溅射气氛为氧气，氧气流量40-60sccm，溅射电压为150-300V，溅射功率为300-500W。

10.如权利要求5所述的低辐射节能玻璃的制备方法，其特征在于：在所述第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为：采用直流磁控溅射方法，溅射靶材为Ag靶，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射电压为50-100V，溅射功率为150-250W；在所述第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为：采用直流磁控溅射方法，溅射靶材为Au靶，溅射气氛为氩气，氩气流量40-60sccm，溅射电压为100-150V，溅射功率为150-200W。