[发明专利]Mg基储氢纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：所述Mg基储氢纳米线的制备方法包括如下步骤：

准备金属Mg、金属Ce、金属La、金属Gd、金属Li以及金属Ni；

按照预先定义的化学式进行配料；

将按照预先定义的化学式进行配料的金属Mg、金属Ce、金属La、金属Gd、金属Li以及金属Ni进行真空熔炼，得到Mg基合金锭；

将所述Mg基合金锭置于坩埚中，随后将坩埚中的Mg基合金锭熔化；

使用高速气流喷射从所述坩埚的喷嘴处流出的熔化的Mg基合金液滴，得到Mg基合金粉；

对所述Mg基合金粉进行热处理；

将经过热处理的Mg基合金粉进行球磨，得到经过球磨处理的Mg基合金粉；

将PAN溶于DMF中，得到PAN纺丝液，其中PAN浓度为10-15wt％；

将经过热处理、但没有经过球磨处理的Mg基合金粉溶于所述PAN纺丝液，得到第一纺丝液；

将经过球磨处理的Mg基合金粉溶于所述PAN纺丝液，得到第二纺丝液；以及

用同轴静电纺丝法将所述第一纺丝液和所述第二纺丝液形成为Mg基储氢纳米线。

2.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：所述预先定义的化学式为：(Mg_23-x-y-zCe_xLa_yGd_z)Li_10-aNi_a，其中，x＝1-3，y＝0.5-1，z＝0.8-1.3，a＝1-2。

3.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：使用高速气流喷射从所述坩埚的喷嘴处流出的熔化的Mg基合金液滴，得到Mg基合金粉的具体工艺为：喷嘴处Mg基合金液滴的流量为60-90kg/h，气流速度为300-800m/s，雾化气体压力为15-35MPa，混合合金粉的冷凝速度为30000-50000K/s。

4.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：对所述Mg基合金粉进行热处理的参数为：热处理气压低于0.01Pa，热处理温度为300-500℃，热处理时间为50-90min。

5.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：将经过热处理的Mg基合金粉进行球磨的参数为：球磨气氛为氩气气氛，球磨速度为700-900r/min，球磨时间为10-15h，球料比为10:1-20:1。

6.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：其中，在所述第一纺丝液中，所述经过热处理、但没有经过球磨处理的Mg基合金粉的浓度为20-30wt％。

7.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：其中，在所述第二纺丝液中，所述经过球磨处理的Mg基合金粉的浓度为35-55wt％。

8.如权利要求1所述的Mg基储氢纳米线的制备方法，其特征在于：用同轴静电纺丝法将所述第一纺丝液和所述第二纺丝液形成为Mg基储氢纳米线的参数为：纺丝电压为25-35kV，装有所述第一纺丝液的注射器的推进速度为7-10mL/h，装有所述第二纺丝液的注射器的推进速度为4-6mL/h，注射器距离接收板的距离为10-15cm。