[发明专利]判断起辉状态的方法和装置、气相沉积方法和设备

权利要求书

1.一种判断工艺腔室内等离子体起辉状态的方法，所述工艺腔室包括阻抗匹配单元，其特征在于，所述方法包括：

获取所述阻抗匹配单元的实时阻抗参数；

判断获取到的实时阻抗参数是否在预设阻抗参数范围内，且持续预定时间，若是，判定起辉失败；若否，判定起辉成功；

所述预设阻抗参数是所述阻抗匹配单元只与所述工艺腔室的系统阻抗匹配时的阻抗参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻抗匹配单元包括射频输入端、第一可变电容、第二可变电容和射频输出端，所述第一可变电容串联在所述射频输入端和接地端之间，所述第二可变电容串联在所述射频输入端和所述射频输出端之间，所述预设阻抗参数包括所述阻抗匹配单元与所述工艺腔室的系统阻抗匹配时的所述第一可变电容的第一旋转圈数以及所述第二可变电容的第二旋转圈数，所述预设阻抗参数范围包括以所述第一旋转圈数为基准的范围和以所述第二旋转圈数为基准的范围；

所述实时阻抗参数包括所述第一可变电容的实时旋转圈数和所述第二可变电容的实时旋转圈数；

判断获取到的实时阻抗参数是否在预设阻抗参数范围内的步骤包括：

判断所述第一可变电容的实时旋转圈数是否在以所述第一旋转圈数为基准的范围内，以及判断所述第二可变电容的实时旋转圈数是否在以所述第二旋转圈数为基准的范围内。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在执行获取所述阻抗匹配单元的实时阻抗参数步骤之前进行以下步骤：

向工艺腔室内通入工艺气体，并向所述工艺腔室提供射频功率；

判断所述工艺气体是否达到击穿临界状态；

当所述工艺气体达到所述击穿临界状态时，获取所述第一可变电容的圈数以及所述第二可变电容的圈数，并将获取到的第一可变电容的圈数作为所述第一旋转圈数，以及将获取到的所述第二可变电容的圈数作为所述第二旋转圈数。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述预定时间为3s～5s。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

以所述第一旋转圈数为基准的范围为所述第一旋转圈数的±(1～3)％；

以所述第二旋转圈数为基准的范围为所述第二旋转圈数的±(1～3)％。

6.一种增强化学气相沉积方法，其特征在于，所述增强化学气相沉积方法包括：

判断所述工艺腔室内的工艺气体是否起辉成功，判断方法为权利要求1至5中任意一项所述的判断工艺腔室内等离子体起辉状态的方法。

7.一种判断工艺腔室内等离子体起辉状态的装置，所述工艺腔室包括阻抗匹配单元，其特征在于，所述装置包括阻抗参数获取单元和判断单元，

所述阻抗参数获取单元，用于获取实时阻抗参数，并将获取到的所述实时阻抗参数发送给所述判断单元；

所述判断单元，用于判断所述实时阻抗参数是否在预设阻抗参数范围内且持续预定时间并输出相应的判定的结果，若是，所述判断单元输出判定起辉失败的第一判定结果；若否，所述判断单元输出判定起辉成功的第二判定结果；

所述预设阻抗参数是所述阻抗匹配单元只与所述工艺腔室的系统阻抗匹配时的阻抗参数。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述阻抗匹配单元包括射频输入端、第一可变电容、第二可变电容和射频输出端，所述第一可变电容串联在所述射频输入端和接地端之间，所述第二可变电容串联在所述射频输入端和所述射频输出端之间；所述预设阻抗参数包括所述阻抗匹配单元与所述工艺腔室的系统阻抗匹配时的所述第一可变电容的第一旋转圈数以及所述第二可变电容的第二旋转圈数，所述预设阻抗参数范围包括以所述第一旋转圈数为基准的范围和以所述第二旋转圈数为基准的范围；

所述实时阻抗参数包括所述第一可变电容的实时旋转圈数和所述第二可变电容的实时旋转圈数；

所述判断单元判断所述第一可变电容的实时旋转圈数是否在以所述第一旋转圈数为基准的范围内，以及判断所述第二可变电容的实时旋转圈数是否在以所述第二旋转圈数为基准的范围内。