[发明专利]双圆极化波导阵列天线及其制作方法

权利要求书

1.一种双圆极化波导阵列天线，其特征在于，包括：

基片集成波导阵列，包括通过介质基片和形成于所述介质基片上的至少三排金属化过孔而形成的至少两个基片集成波导；所述介质基片包括上层金属面、中间介质基板、以及下层金属面；所述至少三排金属化过孔通过任意相邻两排金属化过孔之间形成一布置区域的方式形成间隔设置的至少一第一布置区域和至少一第二布置区域；每一排金属化过孔中的多个金属化过孔沿着所述介质基片的长度方向排列，每一个金属化过孔贯穿中间介质基板且使得上层金属面与下层金属面电导通，所述金属化过孔的直径d和属于同一排金属化过孔中相邻两个金属化过孔之间的圆心间距s满足条件：d＜0.2λ_g，s＜2d，d＜0.2α，其中，λ_g为所述基片集成波导的波导波长，α为所述基片集成波导的宽度；

至少一第一圆极化缝隙线阵，所述第一圆极化缝隙线阵包括沿着所述基片集成波导的长度方向设于所述第一布置区域的上层金属面上的多个第一圆极化缝隙结构；相邻两个第一圆极化缝隙结构的间距L满足：L＝λ_g；所述多个第一圆极化缝隙结构中的每一个包括两个错落布设且互成一夹角的第一偏置斜缝，所述两个第一偏置斜缝形成“＜”型圆极化缝隙结构，且，任一个所述第一偏置斜缝与所述第一布置区域所在的基片集成波导的中心线的偏转角度呈45°至50°；若电磁波顺着“＜”型圆极化缝隙结构馈入，则产生右旋圆极化波；若电磁波逆着“＜”型圆极化缝隙结构馈入，则产生左旋圆极化波；

至少一第二圆极化缝隙线阵，所述第二圆极化缝隙线阵包括沿着所述基片集成波导的长度方向设于所述第二布置区域的上层金属面上的多个第二圆极化缝隙结构；相邻两个第二圆极化缝隙结构的间距L满足：L＝λ_g；所述多个第二圆极化缝隙结构中的每一个包括两个错落布设且互成一夹角的第二偏置斜缝，所述两个第二偏置斜缝形成“＞”型圆极化缝隙结构，且，任一个所述第二偏置斜缝与所述第二布置区域所在的基片集成波导的中心线的偏转角度呈45°至50°；若电磁波顺着“＞”型圆极化缝隙结构馈入，则产生左旋圆极化波；若电磁波逆着“＞”型圆极化缝隙结构馈入，则产生右旋圆极化波；

且所述第一圆极化缝隙结构或第二圆极化缝隙结构中的第一偏置斜缝或第二偏置斜缝的长度均不一致但其宽度保持一致，且所述长度依次逐渐减小，同属于一个圆极化缝隙结构中的第一个偏置斜缝的几何中心至所述基片集成波导的中心线的偏置距离与第二个偏置斜缝的几何中心至所述基片集成波导的中心线的偏置距离不相同；

所述基片集成波导的波导波长为7.1毫米，所述基片集成波导的宽度为5.4毫米，所述基片集成波导的厚度为1.575毫米，所述金属化过孔的直径为0.60毫米，属于同一排金属化过孔中相邻两个金属化过孔之间的圆心间距为0.90毫米。

2.根据权利要求1所述的双圆极化波导阵列天线，其特征在于，所述第一偏置斜缝和所述第二偏置斜缝均为矩形缝隙，所述矩形缝隙的长度为2.3毫米至3.0毫米，所述矩形缝隙的宽度为0.25毫米至0.35毫米；属于同一个第一圆极化缝隙结构中的两个第一偏置斜缝的几何中心沿所对应的基片集成波导的长度方向上的间距为1.7毫米至1.9毫米，所述第一偏置斜缝的几何中心至所述基片集成波导的中心线的偏置距离为1.13毫米至1.16毫米；属于同一个第二圆极化缝隙结构中的两个第二偏置斜缝的几何中心沿所对应的基片集成波导的长度方向上的间距为1.7毫米至1.9毫米，所述第二偏置斜缝的几何中心至所述基片集成波导的中心线的偏置距离为1.13毫米至1.16毫米。