[发明专利]微米级单晶薄膜有效

专利信息
申请号: 201810890775.9 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN108707970B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 张秀全;朱厚彬;胡文;罗具廷;胡卉;李洋洋 申请(专利权)人: 济南晶正电子科技有限公司
主分类号: C30B33/06 分类号: C30B33/06;B32B33/00;B32B9/00;B32B9/04
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王慧敏;韩芳
地址: 250101 山东省济南市高新区港兴*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 微米 级单晶 薄膜
【说明书】:

发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括:衬底层;以及微米单晶薄膜层,位于衬底层上,其中,在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层,所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层,其中,过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。

技术领域

本发明涉及一种微米级单晶薄膜。

背景技术

以硅材料作为衬底制备的钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜,可被应用于制作滤波器、光波导调制器、光波导开关、空间光调制器、光学倍频器、表面声波发生器、红外探测器和铁电体存储器等方面,带来极大的经济效益和社会效益。

发明内容

本发明提供了一种能够减少声波损耗和滤波器的插入损耗的包括微米单晶薄膜层的微米级单晶薄膜。

根据本发明的示例性实施例,所述微米级单晶薄膜包括:衬底层;以及微米单晶薄膜层,位于衬底层上,其中,在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层,所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层,其中,过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。

根据本发明的示例性实施例,等离子体气体可以Ar、O2和N2中的至少一种。

根据本发明的示例性实施例,微米单晶薄膜层的厚度可以为5μm至50μm。

根据本发明的示例性实施例,过渡层中的H的浓度可以为1×1020原子/cc至1×1022原子/cc,H的浓度在过渡层中可以具有最大值,并且H的浓度可以从浓度最大值处分别朝向微米单晶薄膜层和衬底层逐渐降低。

根据本发明的示例性实施例,第一过渡层和第二过渡层的厚度可以均为0.5nm至10nm。

根据本发明的示例性实施例,衬底层的厚度可以为0.1mm至1mm。

根据本发明的示例性实施例,微米单晶薄膜层可以为铌酸锂单晶薄膜、钽酸锂单晶薄膜或石英单晶薄膜。

根据本发明的示例性实施例,衬底层可以为硅衬底、铌酸锂衬底、钽酸锂衬底、石英衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底。

根据本发明的示例性实施例,微米单晶薄膜层和衬底层的材料可以彼此相同或不同。

根据本发明的示例性实施例,从第一过渡层到第二过渡层,衬底层的元素的含量可以逐渐降低,微米单晶薄膜层的元素的含量可以逐渐升高。

根据本发明的示例性实施例,微米单晶薄膜层的表面可以为抛光表面或者可以为具有微米级或亚微米级粗糙度的粗糙表面。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述,这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解,在附图中:

图1是示出了根据本发明的实施例的微米级单晶薄膜的结构的示意图;

图2是示出了根据本发明的实施例1的微米级单晶薄膜的透射电子显微镜(TEM)图;

图3是示出了图2中示出的过渡层中的元素分布图;

图4是示出了图2中示出的微米级单晶薄膜的二次离子质谱(SIMS)图;

图5是示出了根据本发明的实施例3的微米级单晶薄膜的透射电子显微镜(TEM)图;

图6是示出了图5中示出的过渡层中的元素分布图;以及

图7是示出了图5中示出的微米级单晶薄膜的二次离子质谱图(SIMS)图。

具体实施方式

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