[发明专利]同位素测量装置

权利要求书

1.一种测量方法，其测量在包括多种元素的材料中存在的所关注的元素的同位素比率，所述测量方法包括以下步骤：

-施加步骤(100)，其向材料施加至少一个激光光束(3)从而产生等离子体(5)，所述等离子体能够发射光谱(11)，所述光谱(11)包括由材料的元素发射的多个谱线；以及

-测量步骤(200)，其在施用步骤(100)后相继实施，并且能够测量由所关注的元素发射的至少一个所关注的谱线(21)的轮廓，所述测量步骤包括通过光谱仪(8)对由等离子体(5)发射的光谱(11)实施至少一次分析；确立

所述测量方法的特征在于，其进一步包括：

-处理步骤(300)，其在测量步骤(200)后相继实施，并且能够根据所关注的谱线(21)的所测量的轮廓而确立最佳波长(λ_1,2)，当所述轮廓具有双钟形的自吸收轮廓时，所述最佳波长对应于稳定平衡点(P_st)，所述稳定平衡点对应于双钟之间的凹陷；或者，当轮廓为单钟形时，所述最佳波长对应于不稳定平衡点(P_inst)，所述不稳定平衡点对应于钟形轮廓的顶点；以及

-确定步骤(400)，其在处理步骤(300)后相继实施，并且能够根据所标记出的最佳波长(λ_1,2)而确定同位素比率(Iso₁/Iso₂)，所述确定步骤包括与给定元素的同位素比率(Iso₁/Iso₂)和最佳波长(λ_1,2)之间的相关性函数相比较的步骤(410)，或者包括实施多变量方法的步骤(420)。

2.根据权利要求1所述的测量方法，所述测量方法在施加步骤(100)之前包括通过例如激光发生器的发射装置而发射激光光束的步骤(50)，所述激光光束的发射以脉冲的形式实施。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的测量方法，所述测量步骤(200)能够测量由等离子体(5)发射的光谱(11)的多个谱线中的全部或部分的轮廓。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的测量方法，其包括预选择步骤(150)，所述预选择步骤在测量步骤(200)之前，并且能够预选择对应于所关注的元素的至少一个谱线轮廓。

5.根据权利要求4所述的测量方法，所述预选择步骤(150)通过选出对应于所关注的元素的至少一个测量光谱带而实施。

6.根据权利要求4和5中的任一项所述的测量方法，所述预选择步骤(150)通过使用谱线与元素之间的对应关系的数据库而实施。

7.根据权利要求4至6中的任一项所述的测量方法，所述测量步骤(200)包括使光谱仪的中央位于至少一个预选择的谱线轮廓上的步骤，例如在至少一个预选择的测量光谱带中。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的测量方法，其包括后选择步骤(250)，所述后选择步骤在测量步骤(200)之后实施，并且能够从多个测量的谱线中选出对应于所关注的元素的所关注的谱线(21)。

9.根据权利要求8所述的测量方法，所述后选择步骤(250)通过使用谱线与元素之间的对应关系的数据库而实施。

10.根据权利要求8所述的测量方法，通过检视所测量的谱线的轮廓，并且对于所关注的元素选出所关注的谱线(21)的轮廓，而实施所述后选择步骤(250)。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的测量方法，所关注的谱线(21)的轮廓具有在双钟之间带有吸收凹陷的双钟形形状，所述处理步骤(300)包括确立对应于凹陷的最低点的所述轮廓的稳定平衡点(P_st)的步骤(310)。