[发明专利]一种电压产生装置及半导体芯片在审

专利信息
申请号: 201810891448.5 申请日: 2016-08-18
公开(公告)号: CN109032233A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 王新入 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 控制器 分压 电压检测器 负载电压 电压产生装置 检测 半导体芯片 接地端 适用性和实用性 生成控制信号 控制信号 片上电源 输入电源 反馈 电连接 连接点 串联
【权利要求书】:

1.一种电压产生装置,其特征在于,包括:控制器、第一分压控制器、第二分压控制器、和电压检测器;

所述第一分压控制器与负载串联在输入电源与接地端之间;

所述第二分压控制器与所述负载并联在所述第一分压控制器和所述负载之间的连接点与所述接地端之间;

所述电压检测器与所述负载之间电连接,用于检测所述负载的负载电压并向所述控制器反馈所述负载电压的检测值;

所述控制器与所述电压检测器、所述第一分压控制器以及所述第二分压控制器之间均电连接,用于接收所述电压检测器反馈的所述检测值,并基于所述检测值生成控制信号,所述控制信号用于控制所述第一分压控制器和所述第二分压控制器来调节所述负载电压到目标值;其中,

当所述检测值大于所述目标值,所述控制信号用于执行如下至少一项控制:控制所述第一分压控制器的电阻升高、或控制所述第二分压控制器的电阻降低;

当所述检测值小于所述目标值,所述控制信号用于执行如下至少一项控制:控制所述第一分压控制器的电阻降低、或控制所述第二分压控制器的电阻升高。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一分压控制器或所述第二分压控制器包括多个带开关的电阻集合,所述多个带开关的电阻集合之间并联连接,其中,每个带开关的电阻集合中包含并联的至少一个带开关的电阻,其中第一带开关的电阻被所述控制信号中的控制位所控制从而控制所述带开关的电阻集合的导通或关闭,所述控制信号中的多个并行的控制位分别用于控制所述多个带开关的电阻集合的导通或关闭。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,

当所述控制位控制所述开关导通,则所述带开关的电阻集合被导通并控制所述第一分压控制器或所述第二分压控制器的电阻降低;

当所述控制位控制所述开关关闭,则所述带开关的电阻集合被关闭并控制所述第一分压控制器或所述第二分压控制器的电阻升高。

4.如权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述带开关的电阻为电源门控单元PGCell。

5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第一分压控制器中的PGCell的开关和所述第二分压控制器中的PGCell的开关为不同类型的晶体管;

所述第一分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位和所述第二分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位的信号相位相同。

6.如权利要求5所述的装置,所述第一分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位和所述第二分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位是同一个控制位。

7.如权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述不同类型的晶体管分别为P型金属氧化物半导体PMOS管和N型金属氧化物半导体NMOS管。

8.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第一分压控制器中的PGCell的开关和所述第二分压控制器中的PGCell的开关为相同类型的晶体管;

所述第一分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位与所述第二分压控制器中的PGCell的开关所接收的所述控制信号中的控制位的信号相位相反。

9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述相同类型的晶体管为PMOS管或NMOS管。

10.如权利要求2至9中任一项所述的装置,其特征在于,至少一个带开关的电阻集合中包含并联的N个带开关的电阻,每个带开关的电阻包括串联的电阻和开关,N为大于等于2的正整数;其中,

在所述N个带开关的电阻中,第一带开关的电阻中的开关的控制端用于接收与所述至少一个带开关的电阻集合对应的控制位;

在N个带开关的电阻中,下一带开关的电阻中开关的控制端耦合于上一带开关的电阻中串联的开关和电阻的连接点并接收所述连接点输出的信号。

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