[发明专利]一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用

权利要求书

1.一种高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物，其特征在于：所述树脂组合物制得的光刻膜层在193nm波长下曝光，形成的图案的线条高宽比大于3；

所述树脂组合物包括以M1、M2、M3和M4为结构单元的树脂或以M5、M6、M7和M8为结构单元的树脂；

其中，所述M1、M2、M3和M4的结构式如下：

所述M5、M6、M7和M8的结构式如下：

其中，R₁为H或甲基。

2.根据权利要求1所述的高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物，其特征在于：所述高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物至少具有以下性质中的一种：

1）所述的树脂组合物的多分散性PDI≤1.30；

2）所述的树脂组合物的分子量为2000~100000；

3）所述的树脂组合物的玻璃化温度为120~195℃；

4）所述的树脂组合物在180~240nm范围内对光有弱吸收，允许透光率大于80%。

3.一种如权利要求1-2任一项所述的高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物在光刻领域的应用。

4.一种光刻膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将如权利要求1-2任一项所述的高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物溶于溶剂中，然后涂布于衬底上；

S2、烘烤除去衬底上的溶剂；

S3、将上述操作处理后的树脂组合物进行曝光；

S4、对所述步骤S3曝光后的树脂组合物进行一次PEB烘烤；

S5、将显影液喷洒到所述步骤S4处理后的树脂组合物上进行显影。