[发明专利]一种渗透汽化膜及其制备与应用

权利要求书

1.一种改性聚硅氧烷膜材料，其分子结构如式(Ⅰ)所示：

式(Ⅰ)中，

R为改性剂中所含的光引发基团；

R₁为聚硅氧烷端基；

R₂为光引发剂；

n₁、n₂和n₃为改性聚硅氧烷中硅氧链的重复单元数，取值为自然数；

m为改性聚硅氧烷膜材料中改性聚硅氧烷链的重复单元数，取值为自然数。

2.根据权利要求1所述的改性聚硅氧烷膜材料，其特征在于，所述改性聚硅氧烷膜材料的厚度为5-15μm，接触角为103-105°。

3.一种渗透汽化膜，其包括如权利要求1或2所述的改性聚硅氧烷膜材料，其中，所述渗透汽化膜在45-75℃下分离1.5％(v/v)的丁醇水溶液的分离因子为45-50，通量为700-900L/m²h。

4.一种如权利要求3所述的渗透汽化膜的制备方法，其包括：

步骤C，将改性聚硅氧烷与光引发剂混合制成铸膜液；

步骤D，将铸膜液在基底上刮膜，获得涂覆于基底上的改性聚硅氧烷液态膜；

步骤E，在光照条件下对涂覆于基底上的改性聚硅氧烷液态膜进行固化，制得含改性聚硅氧烷膜材料的渗透汽化膜；

其中，所述改性聚硅氧烷通过改性剂与聚硅氧烷反应将光引发基团引入聚硅氧烷制成；

用于光照的光源的功率为400-1000w；和/或，所述固化的时间为30秒-3分钟。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述改性聚硅氧烷包括丙烯酸酯基化聚硅氧烷、丙烯酰胺基化聚硅氧烷、苯乙烯基化聚硅氧烷、乙烯基醚基化聚硅氧烷、环氧基化聚硅氧烷和巯基乙烯基化聚硅氧烷中的一种或几种。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述改性聚硅氧烷通过改性剂与预处理后的聚硅氧烷反应将光引发基团引入聚硅氧烷制成，其中，所述预处理后的聚硅氧烷通过对聚硅氧烷进行干燥处理获得。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述改性聚硅氧烷包括丙烯酸酯基化聚硅氧烷、丙烯酰胺基化聚硅氧烷、苯乙烯基化聚硅氧烷、乙烯基醚基化聚硅氧烷、环氧基化聚硅氧烷和巯基乙烯基化聚硅氧烷中的一种或几种。

8.根据权利要求4-7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述聚硅氧烷包括端羟基聚硅氧烷、端羟烷基聚基硅氧烷、端氨基聚硅氧烷、端氢基聚硅氧烷、端乙烯基聚硅氧烷、端氯基聚硅氧烷、端羟基氟硅油和端乙烯基氟硅油中的一种或几种；和/或，所述改性剂包括含有光引发基团的硅烷改性剂和/或卤代试剂；和/或，所述光引发基团为自由基光引发基团或阳离子光引发基团；其中，所述自由基光引发基团包括丙烯酸酯基和/或丙烯酰胺基；所述阳离子光引发基团包括环氧基、乙烯基醚基、苯乙烯基和巯基乙烯基中一种或几种。

9.根据权利要求4-7中任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤D中，将铸膜液脱泡后在基底上刮膜。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤D中，将铸膜液脱泡后在基底上刮膜。

11.如权利要求3所述的渗透汽化膜或如权利要求4-10中任意一项所述的方法制备的渗透汽化膜在待分离有机溶剂中的应用。

12.根据权利要求11所述的应用，其特征在于，所述有机溶剂包括丁醇、乙醇和糠醛中的一种或几种。