[发明专利]一种具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810892516.X | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108950350B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄丽宏;王浚臣;莫小波;张勤勇;任志锋 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/04;H01L35/18 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 苟铭;杜朗宇 |
| 地址： | 610039 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 空位 缺陷 nbcosb 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料，其为由非化学计量比的Nb、Co、Sb元素组成的、晶体结构中具有本征空位缺陷的Half-Heusler型材料；
其化学式为Nb1-3xCoSb1-x，其中x=0.01~0.06。
2.根据权利要求1所述的具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料的制备方法，其包括以下过程：
（1）混料：
将原材料粉末按配比进行混合；
（2）冷压：
将混合后的粉末冷压成块；
（3）高温烧结：
将由步骤（2）得到的粉末块在真空密封的条件下进行高温烧结，烧结温度为1000~1100℃，时间为20~48h，其后冷却；
（4）高能球磨：
将冷却后的产物进行高能球磨，制得纳米粉末；
（5）快速热压：
将所得纳米粉末在950~1000℃、70~80MPa下进行热压，得到所述具有本征空位缺陷的NbCoSb基热电材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（1）中所述原材料为Nb粉、Co粉和Sb粉。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（2）中所述冷压压力为4~5t，保压时间为15~20min。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（3）中升温速率为180~200℃/h。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（3）中所述真空密封的真空度低于8×10-6 Pa。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（4）中所述高能球磨的时间为3~7h。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其中所述步骤（5）中的热压时间为2~3min。
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