[发明专利]一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法有效
| 申请号： | 201810892733.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109037087B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 余定展;郑斌;孙健;杨晓媛 | 申请（专利权）人： | 航天恒星科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人： | 王军;陈艳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 收发 组件 高温 梯度 高焊透率 烧结 方法 | ||
1.一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，用于实现毫米波收发组件结构腔体的烧结，其特征在于：基于烧结温度由高至低的梯度顺序，针对毫米波收发组件结构腔体(1)，依次完成一体式烧结绝缘子(2)、金锗烧结陶瓷基片(3)、金锡烧结芯片(4)、锡锑烧结4350B基片(5)和锡银铜烧结载板(6)；其中，在执行烧结的过程中，采用球状针头的钨针夹具，针对金锡烧结芯片(4)接触位置施加压力。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，其特征在于：所述一体式烧结绝缘子(2)，基于第一梯度温度800℃，采用银铜焊料，将玻璃和玻针烧结在毫米波收发组件结构腔体(1)上。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，其特征在于：所述金锗烧结陶瓷基片(3)，在焊接基片尺寸为底板与围框接触面尺寸的90％、烧结炉设定峰值温度为465℃～475℃、带速为40cm/min、N2保护流量为45L/min的条件下，基于第二梯度温度380℃，采用金锗焊料，将陶瓷基片烧结在毫米波收发组件结构腔体上。
4.根据权利要求1所述的一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，其特征在于：所述金锡烧结芯片(4)，在真空环境下，针对芯片接触位置施加压力，并基于第三梯度温度310℃，按焊料熔融时长为50s-70s，冷却速率1.5℃/s-3℃/s为要求，采用金锡焊料，将芯片烧结在毫米波收发组件结构腔体上。
5.根据权利要求1所述的一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，其特征在于：所述锡锑烧结4350B基片(5)，基于针对锡锑烧结4350B基片(5)相对所述毫米波收发组件结构腔体的固定，在真空环境下，基于第四梯度温度275℃，采用锡锑焊料，将锡锑烧结4350B基片(5)烧结在毫米波收发组件结构腔体(1)上。
6.根据权利要求1所述的一种毫米波收发组件高温多梯度高焊透率烧结方法，其特征在于：所述锡银铜烧结载板(6)，首先针对锡银铜烧结载板(6)的两面涂覆助焊剂，然后在真空环境下，基于第五梯度温度240℃，按40s烧结时长，采用锡银铜，将载板烧结在毫米波收发组件结构腔体(1)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天恒星科技有限公司，未经航天恒星科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810892733.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种表面贴装陶瓷外壳的可调平行缝焊夹具
- 下一篇：重布线层的测试方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
