[发明专利]一种难降解废水的净化装置及净化方法在审
申请号: | 201810893784.3 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN108675388A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 竹涛;金鑫睿;张星;韩一伟 | 申请(专利权)人: | 中国矿业大学(北京);鼎格环境科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C02F1/30 | 分类号: | C02F1/30;C02F1/72;C02F101/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接地板 等离子体放电板 等离子体反应单元 等离子体反应器 净化装置 难降解废水 配水系统 列管 非平衡态等离子体 介质阻挡放电 轴向平行设置 降解污染物 模块化组装 套管式结构 无二次污染 出水管道 高压电极 净化效率 均匀设置 平行布置 净化 喷淋式 水膜 涌流 平行 废水 激发 | ||
1.一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述装置包括等离子体反应器(1)、配水系统(3)和出水管道(7);所述等离子体反应器(1)包括至少一个等离子体反应单元,所述等离子体反应单元包括高压电极(2)、与高压电极(2)相连的等离子体放电板(4)和接地板(5);所述等离子体放电板(4)和所述接地板(5)分别设置在所述等离子体反应器(1)相对的两侧且呈面平行布置;所述配水系统(3)设置在所述接地板(5)一侧;所述配水系统(3)包括进水管和进水廊道,所述进水廊道与所述等离子体反应器(1)通过所述接地板(5)顶部连通;所述出水管道(7)设置在所述等离子体反应器(1)下部。
2.根据权利要求1所述的一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述等离子体反应单元设置两个以上,所述两个以上等离子体反应单元呈面平行均匀设置在所述等离子体反应器(1)内,且位于最外侧的等离子体放电板(4)和所述接地板(5)分别设置在所述等离子体反应器(1)相对的两侧;所述配水系统(3)的进水廊道设置为并联布置的进水子廊道,所述进水子廊道与所述等离子体反应单元一一对应,且所述进水子廊道配置在所述每个等离子体反应单元的接地板侧。
3.根据权利要求1或2所述的一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述等离子体放电板(4)包括若干个轴向平行设置的列管(6);所述若干个列管(6)在所述等离子体放电板(4)平面内水平或竖直均匀布置。
4.根据权利要求3所述的一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述列管(6)选用套管式结构,其内部为金属材质电极管且外部为石英管。
5.一种难降解废水的净化方法,其使用如权利要求1或2所述一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述方法包括
将含有难降解有机污染物的废水通入配水系统(3),使废水通过进水廊道或进水子廊道上涌,通过溢流从接地板(5)进入等离子体反应器(1),并在接地板(5)的内壁面形成水帘;
启动高压电极(2),使等离子体反应单元内的等离子体放电板(4)和接地板(5)之间形成介质阻挡放电,激发气体和/或液体介质产生非平衡态等离子体,形成包括高能电子、羟基自由基在内的强氧化性活性粒子,与难降解有机污染物反应,使废水得到净化;
当等离子体反应单元设置两个以上时,相邻的等离子体反应单元之间的等离子体放电板(4)与接地板(5)之间也形成介质阻挡放电,激发气体或液体介质产生非平衡态等离子体,进一步形成包括高能电子、羟基自由基在内的强氧化性活性粒子,使难降解有机污染物得到高效净化;
净化后的废水从出水管道(7)汇集排出净化装置。
6.一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述装置包括等离子体反应器(1)、配水系统(3)和出水管道(7);所述等离子体反应器(1)包括至少一个等离子体反应单元,所述等离子体反应单元包括高压电极(2)、与高压电极(2)相连的等离子体放电板(4)和接地板(5);所述等离子体放电板(4)和所述接地板(5)分别设置在所述等离子体反应器(1)相对的两侧且呈面平行布置;所述配水系统(3)设置在所述接地板(5)一侧;所述配水系统(3)包括进水管和喷头组,喷头组包括若干个喷雾头,所述若干个喷雾头设置在所述接地板(5)顶部,且沿所述接地板(5)长度方向均匀设置;所述出水管道(7)设置在所述等离子体反应器(1)下部。
7.根据权利要求6所述的一种难降解废水的净化装置,其特征在于:所述等离子体反应单元设置两个以上,所述两个以上等离子体反应单元呈面平行均匀设置在所述等离子体反应器(1)内,且位于最外侧的等离子体放电板(4)和所述接地板(5)分别设置在所述等离子体反应器(1)相对的两侧;所述配水系统(3)的喷头组设置为并联布置的若干组,且与所述等离子体反应单元一一对应,所述每组喷头组包括若干个喷雾头,所述若干个喷雾头设置在所述每个等离子体反应单元的接地板(5)顶部,且沿所述接地板(5)长度方向均匀设置。
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